Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

IRFY9130C Arkusz danych (PDF) - International Rectifier

IRFY9130C Datasheet PDF - International Rectifier
Numer części IRFY9130C
Pobierz  IRFY9130C Pobierz

Rozmiar pliku   164.07 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  IRF [International Rectifier]
Strona internetowa  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Szczegółowy opis POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)100V, P-CHANNEL HEXFET짰 MOSFET TECHNOLOGY

IRFY9130C Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
IRFY9130C Datasheet PDF - International Rectifier

Numer części IRFY9130C
Pobierz  IRFY9130C Click to download

Rozmiar pliku   164.07 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  IRF [International Rectifier]
Strona internetowa  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Szczegółowy opis POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)100V, P-CHANNEL HEXFET짰 MOSFET TECHNOLOGY

IRFY9130C Arkusz danych (HTML) - International Rectifier

IRFY9130C Datasheet HTML 1Page - International Rectifier IRFY9130C Datasheet HTML 2Page - International Rectifier IRFY9130C Datasheet HTML 3Page - International Rectifier IRFY9130C Datasheet HTML 4Page - International Rectifier IRFY9130C Datasheet HTML 5Page - International Rectifier IRFY9130C Datasheet HTML 6Page - International Rectifier IRFY9130C Datasheet HTML 7Page - International Rectifier

IRFY9130C Szczegóły Produktu

Part Number    RDS(on)    ID          Eyelets
IRFY9130C      0.3 Ω    -11.2A       Ceramic
IRFY9130CM     0.3 Ω    -11.2A       Ceramic

HEXFET® MOSFET technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance. HEXFET transistors also feature all of the well-established advantages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling and electrical parameter temperature stability. They are well-suited for applications such as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually any application where high reliability is required. The HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the need for additional isolating material between the device and the heatsink. This improves thermal efficiency and reduces drain capacitance.

Features:
● Simple Drive Requirements
● Ease of Paralleling
● Hermetically Sealed
● Electrically Isolated
● Ceramic Eyelets
● Ideally Suited For Space Level Applications




Podobny numer części - IRFY9130C

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Seme LAB
IRFY9130C SEME-LAB-IRFY9130C Datasheet
15Kb / 1P
   P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed
logo
International Rectifier
IRFY9130C IRF-IRFY9130C Datasheet
834Kb / 7P
   Simple Drive Requirements
IRFY9130CM IRF-IRFY9130CM Datasheet
300Kb / 6P
   POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.3ohm, Id=-11.2A)
IRFY9130C IRF-IRFY9130C_15 Datasheet
834Kb / 7P
   Simple Drive Requirements
More results


Podobny opis - IRFY9130C

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
International Rectifier
IRF7Y1405CM IRF-IRF7Y1405CM Datasheet
100Kb / 7P
   HEXFET짰 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRF7YSZ44VCM IRF-IRF7YSZ44VCM Datasheet
117Kb / 7P
   HEXFET짰 POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA
IRFY440M IRF-IRFY440M Datasheet
135Kb / 7P
   POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY240C IRF-IRFY240C Datasheet
219Kb / 7P
   POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA
IRFY130C IRF-IRFY130C Datasheet
167Kb / 7P
   POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY9240C IRF-IRFY9240C Datasheet
148Kb / 7P
   POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA
IRFY140C IRF-IRFY140C Datasheet
164Kb / 7P
   POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY340C IRF-IRFY340C Datasheet
148Kb / 7P
   POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY430C IRF-IRFY430C Datasheet
172Kb / 7P
   POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY9140C IRF-IRFY9140C Datasheet
257Kb / 7P
   POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
More results




O International Rectifier


Międzynarodowy prostownik (IR) był amerykańską firmą specjalizującą się w projektowaniu i produkcji półprzewodników zarządzania energią i kontroli energii.
Firma została założona w 1947 roku i miała siedzibę w El Segundo w Kalifornii.
IR dostarczyło szeroką gamę produktów, w tym ICS zarządzania energią, mocy mocy, IGBT i inne produkty sterujące energią.
Produkty firmy były używane w różnych aplikacjach, takich jak obliczenia, telekomunikacja i automatyzacja przemysłowa.
IR był znany ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie zarządzania energią i technologią kontroli oraz zdolności do dostarczania wysokiej jakości i niezawodnych produktów dla swoich klientów.
W 2014 r. IR został przejęty przez Infineon Technologies, wiodący dostawca produktów zarządzania energią i kontrolą oraz inne rozwiązania półprzewodników.
Międzynarodowa marka prostowników nie jest już używana, ale jej technologia i produkty są nadal częścią portfela Infineon.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com