NESG220033 Arkusz danych(PDF) - Renesas Technology Corp

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

NESG220033 Arkusz danych (PDF) - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


Numer części	NESG220033

Pobierz	NESG220033 Pobierz

Rozmiar pliku	224.53 Kbytes

Page	10 Pages

Producent	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Strona internetowa	http://www.renesas.com

Logo

Szczegółowy opis

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

NESG220033 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Pobierz Arkusz danych

NESG220033 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


Numer części	NESG220033

Pobierz	NESG220033 Click to download

Rozmiar pliku	224.53 Kbytes

Page	10 Pages

Producent	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Strona internetowa	http://www.renesas.com

Logo

Szczegółowy opis	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

NESG220033 Arkusz danych (HTML) - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 1Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 2Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 3Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 4Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 5Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 6Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 7Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 8Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 9Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 10Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Szczegóły Produktu

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.
NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz
• PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =14.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 12.5 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG2xxx series.
• 3-pin minimold (33 PKG)

Podobny numer części - NESG220033

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
NEC	NESG220033	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033-A	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033-T1B	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033-T1B-A	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

Podobny opis - NESG220033

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
NEC	NESG210833	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240033	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
Renesas Technology Corp	NESG210833	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240033	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	226Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240034	221Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
NEC	NESG220034	97Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
NEC	NESG240034	91Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
California Eastern Labs	NESG210719	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)

O Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp jest japońską firmą półprzewodników, która zapewnia szeroką gamę mikrokontrolerów, systemów i urządzeń analogowych i energetycznych dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.
Firma została utworzona w 2010 roku poprzez połączenie NEC Electronics Corporation i Renesas Technology Corporation.
Renesas jest jednym z największych dostawców mikrokontrolerów na świecie i jest znany ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie rozwoju zaawansowanych technologii w obszarach takich jak Internet of Things (IoT), sztuczna inteligencja (AI) i elektronika motoryzacyjna.
Firma prowadzi działalność w ponad 20 krajach, a jej produkty są wykorzystywane w szerokim zakresie aplikacji.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Polityka prywatności

ALLDATASHEET.PL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com