Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

IRF322 Arkusz danych (PDF) - Intersil Corporation

IRF322 Datasheet PDF - Intersil Corporation
Numer części IRF322
Pobierz  IRF322 Pobierz

Rozmiar pliku   67.83 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis 2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF322 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
IRF322 Datasheet PDF - Intersil Corporation

Numer części IRF322
Pobierz  IRF322 Click to download

Rozmiar pliku   67.83 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis 2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF322 Arkusz danych (HTML) - Intersil Corporation

IRF322 Datasheet HTML 1Page - Intersil Corporation IRF322 Datasheet HTML 2Page - Intersil Corporation IRF322 Datasheet HTML 3Page - Intersil Corporation IRF322 Datasheet HTML 4Page - Intersil Corporation IRF322 Datasheet HTML 5Page - Intersil Corporation IRF322 Datasheet HTML 6Page - Intersil Corporation IRF322 Datasheet HTML 7Page - Intersil Corporation

IRF322 Szczegóły Produktu

Description
These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features
• 2.8A and 3.3A, 350V and 400V
• rDS(ON) = 1.8Ω and 2.5Ω
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Majority Carrier Device
• Related Literature
    - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”




Podobny numer części - IRF322

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Samsung semiconductor
IRF322 SAMSUNG-IRF322 Datasheet
213Kb / 5P
   N-CHANNEL POWER MOSFETS
logo
Fairchild Semiconductor
IRF322 FAIRCHILD-IRF322 Datasheet
164Kb / 5P
   N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF322 NJSEMI-IRF322 Datasheet
137Kb / 3P
   2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF322 ISC-IRF322 Datasheet
48Kb / 2P
   isc N-Channel MOSFET Transistor
logo
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...
IRF322 ARTSCHIP-IRF322 Datasheet
333Kb / 6P
   N-Channel Power MOSFETs
More results


Podobny opis - IRF322

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF320 NJSEMI-IRF320 Datasheet
137Kb / 3P
   2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Intersil Corporation
RFH12N35 INTERSIL-RFH12N35 Datasheet
40Kb / 5P
   12A, 350V and 400V, 0.380 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFM4N35 INTERSIL-RFM4N35 Datasheet
38Kb / 4P
   4A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFM7N35 INTERSIL-RFM7N35 Datasheet
47Kb / 4P
   7A, 350V and 400V, 0.75 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFM12N35 INTERSIL-RFM12N35 Datasheet
31Kb / 4P
   12A, 350V and 400V, 0.500 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Fairchild Semiconductor
IRF340-343 FAIRCHILD-IRF340-343 Datasheet
154Kb / 5P
   N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
IRF350-353 FAIRCHILD-IRF350-353 Datasheet
117Kb / 4P
   N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V
2N6759 FAIRCHILD-2N6759 Datasheet
138Kb / 5P
   N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350V/400V
2N6767 FAIRCHILD-2N6767 Datasheet
140Kb / 5P
   N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V
logo
Intersil Corporation
IRF720 INTERSIL-IRF720 Datasheet
54Kb / 7P
   3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
More results




O Intersil Corporation


Intersil Corporation była amerykańską firmą półprzewodników, która specjalizowała się w projektowaniu i produkcji wysokowydajnych obwodów zintegrowanych analogowych i mieszanych.
Firma została założona w 1967 r. I była znana ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie zarządzania energią, konwersją danych i technologii częstotliwości radiowej (RF).
Produkty Intersil były używane w szerokiej gamie zastosowań, takich jak elektronika konsumpcyjna, przemysł, telekomunikacja oraz lotnica i obrona.
W 2016 r. Intersil został przejęty przez Renesas Electronics Corporation, japońską firmę półprzewodników.
Marka i technologia Intersil są nadal opracowywane i sprzedawane w ramach portfela produktów Renesas.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com