Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

PTF180101 Arkusz danych (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF180101 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
Numer części PTF180101
Pobierz  PTF180101 Pobierz

Rozmiar pliku   310.59 Kbytes
Page   10 Pages
Producent  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Strona internetowa  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Szczegółowy opis LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz

PTF180101 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
PTF180101 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

Numer części PTF180101
Pobierz  PTF180101 Click to download

Rozmiar pliku   310.59 Kbytes
Page   10 Pages
Producent  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Strona internetowa  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Szczegółowy opis LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz

PTF180101 Arkusz danych (HTML) - Infineon Technologies AG

PTF180101 Datasheet HTML 1Page - Infineon Technologies AG PTF180101 Datasheet HTML 2Page - Infineon Technologies AG PTF180101 Datasheet HTML 3Page - Infineon Technologies AG PTF180101 Datasheet HTML 4Page - Infineon Technologies AG PTF180101 Datasheet HTML 5Page - Infineon Technologies AG PTF180101 Datasheet HTML 6Page - Infineon Technologies AG PTF180101 Datasheet HTML 7Page - Infineon Technologies AG PTF180101 Datasheet HTML 8Page - Infineon Technologies AG PTF180101 Datasheet HTML 9Page - Infineon Technologies AG PTF180101 Datasheet HTML 10Page - Infineon Technologies AG

PTF180101 Szczegóły Produktu

Description
The PTF180101 is a 10 W, internally–matched GOLDMOS FET device intended for EDGE applications in the DCS/PCS band. Full gold metallization
ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Typical EDGE performance
   - Average output power = 4.0 W
   - Gain = 19.0 dB
   - Efficiency = 28%
   - EVM = 1.1 %
• Typical WCDMA performance
   - Average output power = 1.8 W
   - Gain = 18.0 dB
   - Efficiency = 20%
   - ACPR = –45 dBc
• Typical CW performance
   - Output power at P–1dB = 15 W
   - Efficiency = 50%
• Integrated ESD protection:
   Human Body Model Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
   10 W (CW) output power




Podobny numer części - PTF180101

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Infineon Technologies A...
PTF180101M INFINEON-PTF180101M Datasheet
314Kb / 8P
   High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 1.0 ??2.0 GHz
Rev. 05.1, 2009-02-18
PTF180101S INFINEON-PTF180101S Datasheet
209Kb / 10P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
Rev. P03, 2007-03-01
More results


Podobny opis - PTF180101

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Infineon Technologies A...
PTF180101S INFINEON-PTF180101S Datasheet
209Kb / 10P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
Rev. P03, 2007-03-01
PTF180601 INFINEON-PTF180601 Datasheet
233Kb / 11P
   LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
2004-05-03
PTF210101M INFINEON-PTF210101M Datasheet
276Kb / 8P
   High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
PTF210901 INFINEON-PTF210901 Datasheet
266Kb / 8P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
2004-01-16
PTF211301 INFINEON-PTF211301 Datasheet
449Kb / 9P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
2004-01-02
PTF210301 INFINEON-PTF210301 Datasheet
337Kb / 8P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF191601 INFINEON-PTF191601 Datasheet
61Kb / 4P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
2004-03-17
PTF211802 INFINEON-PTF211802 Datasheet
169Kb / 8P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
PTF210451 INFINEON-PTF210451 Datasheet
406Kb / 8P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF181301 INFINEON-PTF181301 Datasheet
66Kb / 4P
   LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz
2004-04-28
More results




O Infineon Technologies AG


Infineon Technologies jest wiodącym globalnym producentem półprzewodników, który specjalizuje się w zapewnianiu rozwiązań zarządzania energią, bezpieczeństwem i kontrolą dla różnych branż, takich jak systemy motoryzacyjne, przemysłowe i komunikacyjne.
Firma została założona w 1999 roku i ma siedzibę w Neubiberg w Niemczech.
Infineon oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, półprzewodniki mocy, czujniki i inne zintegrowane obwody.
Firma ma silną obecność na rynku globalnym, z operacjami i obiektami w różnych krajach na całym świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com