Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

FDZ291P Arkusz danych (PDF) - Fairchild Semiconductor

FDZ291P Datasheet PDF - Fairchild Semiconductor
Numer części FDZ291P
Pobierz  FDZ291P Pobierz

Rozmiar pliku   170.32 Kbytes
Page   6 Pages
Producent  FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.fairchildsemi.com
Logo FAIRCHILD - Fairchild Semiconductor
Szczegółowy opis P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FDZ291P Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
FDZ291P Datasheet PDF - Fairchild Semiconductor

Numer części FDZ291P
Pobierz  FDZ291P Click to download

Rozmiar pliku   170.32 Kbytes
Page   6 Pages
Producent  FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.fairchildsemi.com
Logo FAIRCHILD - Fairchild Semiconductor
Szczegółowy opis P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FDZ291P Arkusz danych (HTML) - Fairchild Semiconductor

FDZ291P Datasheet HTML 1Page - Fairchild Semiconductor FDZ291P Datasheet HTML 2Page - Fairchild Semiconductor FDZ291P Datasheet HTML 3Page - Fairchild Semiconductor FDZ291P Datasheet HTML 4Page - Fairchild Semiconductor FDZ291P Datasheet HTML 5Page - Fairchild Semiconductor FDZ291P Datasheet HTML 6Page - Fairchild Semiconductor

FDZ291P Szczegóły Produktu

General Description
Combining Fairchild’s advanced 1.5V specified PowerTrench process with state of the art BGA packaging, the FDZ291P minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, high current handling capability, ultralow profile packaging, low gate charge, and low RDS(ON).

Features
• –4.6 A, –20 V RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 60 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = –1.5 V
• Occupies only 2.25 mm2 of PCB area. Less than 50% of the area of a SSOT-6
• Ultra-thin package: less than 0.85 mm height when mounted to PCB
• Outstanding thermal transfer characteristics: 4 times better than SSOT-6
• Ultra-low Qg x RDS(ON) figure-of-merit
• High power and current handling capability.

Applications
• Battery management
• Load switch
• Battery protection




Podobny numer części - FDZ291P

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Fairchild Semiconductor
FDZ291P FAIRCHILD-FDZ291P Datasheet
247Kb / 6P
   P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench짰 BGA MOSFET
FDZ291P FAIRCHILD-FDZ291P_06 Datasheet
247Kb / 6P
   P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench짰 BGA MOSFET
More results


Podobny opis - FDZ291P

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Fairchild Semiconductor
FDZ299P FAIRCHILD-FDZ299P Datasheet
178Kb / 6P
   P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ293P FAIRCHILD-FDZ293P Datasheet
376Kb / 7P
   P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDY1002PZ FAIRCHILD-FDY1002PZ Datasheet
257Kb / 7P
   Dual P-Channel (-1.5 V) Specified PowerTrench MOSFET
FDZ291P FAIRCHILD-FDZ291P_06 Datasheet
247Kb / 6P
   P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench짰 BGA MOSFET
FDZ204P FAIRCHILD-FDZ204P_04 Datasheet
169Kb / 6P
   P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ202P FAIRCHILD-FDZ202P_04 Datasheet
169Kb / 6P
   P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ298N FAIRCHILD-FDZ298N Datasheet
170Kb / 6P
   N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ294N FAIRCHILD-FDZ294N Datasheet
146Kb / 9P
   N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ2554P FAIRCHILD-FDZ2554P_07 Datasheet
222Kb / 6P
   Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ493P FAIRCHILD-FDZ493P Datasheet
421Kb / 6P
   P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET -20V, -4.6A, 46mohm
More results




O Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor był pionierską firmą półprzewodników, która została założona pod koniec lat 50. XX wieku.
Firma była znana z innowacji w opracowywaniu pierwszego tranzystora komercyjnego i jej wkładu w rozwój technologii zintegrowanego obwodu.
Fairchild stał się wiodącym dostawcą półprzewodników energetycznych, analogowych i mieszanych obwodów zintegrowanych oraz innych produktów półprzewodników.
Firma została przejęta przez Semiconductor w 2016 roku, a jej produkty i technologie są nadal opracowywane i sprzedawane pod marką półprzewodnikową.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com