Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Zobacz wszystkie Arkusz danych sprzedawcę Producent
Skrót   60N60(170) wyniki wyszukiwania.
Dokładny,
Podobny
 60N60(3)
Rozpoczynający
się
 60N60*(4) 60N60B*(2) 60N60F*(1) 60N60S*(1)
Kończący się  *60N60(15) *060N60(1) *N60N60(3) *H60N60(3) *K60N60(1) *T60N60(1) *S60N60(1) *G60N60(1) *L60N60(1) *160N60(1) *660N60(1) *260N60(1)
Zawierający  *60N60*(148)
Producent


60N60 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "60N60" - wyników : 7 ( 1/1 Page)
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
IXYS Corporation
60N60 IXYS-60N60 Datasheet
67Kb/2P
Ultra-Low VCE(sat) IGBT
60N60 IXYS-60N60 Datasheet
156Kb/5P
HiPerFASTTM IGBTs with Diode
60N60 IXYS-60N60 Datasheet
156Kb/5P
HiPerFASTTM IGBTs with Diode
60N60B2 IXYS-60N60B2 Datasheet
514Kb/6P
B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)
60N60B2D1 IXYS-60N60B2D1 Datasheet
514Kb/6P
B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)
logo
Silan Microelectronics ...
60N60FD1 SILAN-60N60FD1 Datasheet
307Kb/10P
60A, 600V FIELD STOP IGBT
Rev.:1.7
logo
Fairchild Semiconductor
60N60SFD FAIRCHILD-60N60SFD Datasheet
418Kb/9P
600 V, 60 A Field Stop IGBT
Rev. 1.4 March 2015
Search Partnumber : Start with "60N60" - Total : 84 ( 1/5 Page)
logo
IXYS Corporation
60N60B2 IXYS-60N60B2 Datasheet
514Kb/6P
B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)
60N60B2D1 IXYS-60N60B2D1 Datasheet
514Kb/6P
B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)
logo
Silan Microelectronics ...
60N60FD1 SILAN-60N60FD1 Datasheet
307Kb/10P
60A, 600V FIELD STOP IGBT
Rev.:1.7
logo
Fairchild Semiconductor
60N60SFD FAIRCHILD-60N60SFD Datasheet
418Kb/9P
600 V, 60 A Field Stop IGBT
Rev. 1.4 March 2015
logo
VBsemi Electronics Co.,...
60N02 VBSEMI-60N02 Datasheet
1,017Kb/8P
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
60N03 VBSEMI-60N03 Datasheet
1,017Kb/8P
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
60N03. VBSEMI-60N03. Datasheet
1Mb/7P
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
logo
List of Unclassifed Man...
60N035 ETC-60N035 Datasheet
127Kb/2P
N-Channel Field Effect Transistor
logo
VBsemi Electronics Co.,...
60N03F VBSEMI-60N03F Datasheet
1,017Kb/8P
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
60N03GH VBSEMI-60N03GH Datasheet
1,017Kb/8P
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
60N03GJ VBSEMI-60N03GJ Datasheet
994Kb/7P
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
60N03GS VBSEMI-60N03GS Datasheet
1Mb/10P
N-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET
60N03J VBSEMI-60N03J Datasheet
994Kb/7P
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

12 3 4 5


12 3 4 5



60N60 sprzedawcę

sprzedawcęNumer częściProducentSzczegółowy opisPriceQty.
BuyNow



Krótki opis 60N60


60N60 to IGBT o dużej mocy (izolowany tranzystor dwubiegunowy) zaprojektowany do wydajności w szerokiej gamie zastosowań, w tym falowników słonecznych, systemów UPS, spawaczy, sprzętu telekomunikacyjnego, ESS i PFC. Oto niektóre z jego widocznych funkcji:

Ma maksymalną temperaturę połączenia TJ = 175 ° C, co oznacza, że ​​może działać w wyższych temperaturach, dzięki czemu nadaje się do solidnych zastosowań.
Tranzystor wykazuje dodatni współczynnik temperatury dla łatwej równoległej pracy, co jest korzystne dla skalowania mocy za pomocą wielu urządzeń.
Obecna jest wysoka zdolność prądu, co jest korzystne dla zastosowań o dużej mocy.
Niskie napięcie nasycenia VCE (SAT) = 1,9 V (typ
IGBT ma wysokie możliwości impedancji wejściowej i szybkiego przełączania, wskazane przez EOFF 7,5 µJ/A.
Rozkład parametrów jest zaostrzony, co oznacza, że ​​między poszczególnymi składnikami jest mniejsza zmienność, co pozwala na bardziej spójną wydajność między urządzeniami.
W przypadku aplikacji jest zoptymalizowany pod kątem falownika słonecznego, UPS, spawacza, PFC, Telecom i ESS, gdzie wydajne zużycie energii jest kluczowe. IGBT łączy wysokowydajne, szybkie przełączanie i niezawodność, co czyni go dopasowanym wyborem dla systemów elektroniki energetycznej o wysokiej wydajności.

Aby uzyskać szczegółową analizę 60N60, w tym jego cechy elektryczne i konfiguracje PIN, należy odwołać się do konkretnych arkuszy danych producentów, które są dostępne na platformach takich jak na półprzewodnikach i IXYS za pośrednictwem AllDatasheet i innych repozytoriach arkuszy danych półprzewodników

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL


Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ]  

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com