IXBH16N170 Arkusz danych(PDF) - IXYS Corporation

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

IXBH16N170 Arkusz danych (PDF) - IXYS Corporation

IXBH16N170 Datasheet PDF - IXYS Corporation


Numer części	IXBH16N170

Pobierz	IXBH16N170 Pobierz

Rozmiar pliku	182.04 Kbytes

Page	5 Pages

Producent	IXYS [IXYS Corporation]

Strona internetowa	http://www.ixys.com

Logo

Szczegółowy opis

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH16N170 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Pobierz Arkusz danych

IXBH16N170 Datasheet PDF - IXYS Corporation


Numer części	IXBH16N170

Pobierz	IXBH16N170 Click to download

Rozmiar pliku	182.04 Kbytes

Page	5 Pages

Producent	IXYS [IXYS Corporation]

Strona internetowa	http://www.ixys.com

Logo

Szczegółowy opis	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH16N170 Arkusz danych (HTML) - IXYS Corporation

IXBH16N170 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXBH16N170 Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXBH16N170 Datasheet HTML 3Page - IXYS Corporation

IXBH16N170 Datasheet HTML 4Page - IXYS Corporation

IXBH16N170 Datasheet HTML 5Page - IXYS Corporation

IXBH16N170 Szczegóły Produktu

Features
• High Blocking Voltage
• JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD
• Low conduction losses
• High current handling capability
• MOS Gate turn-on
- drive simplicity
• Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification

Applications
• AC motor speed control
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• Capacitor discharge circuits

Advantages
• High power density
• Suitable for surface mounting
• Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)

Podobny numer części - IXBH16N170

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
IXYS Corporation	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Podobny opis - IXBH16N170

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
IXYS Corporation	IXBH42N170	581Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBK55N300	221Kb / 6P	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH24N170	181Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBN42N170A	206Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA14N300HV	365Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA16N170AHV	168Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF32N300	201Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH20N300	180Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBR42N170	175Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

O IXYS Corporation

IXYS Corporation to firma technologiczna, która specjalizuje się w projektowaniu, produkcji i sprzedaży półprzewodników i obwodów zintegrowanych (ICS). Firma została założona w 1983 roku i ma siedzibę w Milpitas w Kalifornii. IXY jest obecny globalny, z operacją i klientami w ponad 60 krajach na całym świecie.

IXYS zapewnia szeroką gamę produktów i rozwiązań, w tym MOSFETE mocy, tranzystory bipolarne mocy, tyrystory, diody i ICS do zarządzania energią i aplikacjami kontrolnymi. Produkty firmy są wykorzystywane w różnych aplikacjach, w tym w elektronice odnawialnej, przemysłowej, motoryzacyjnej i konsumpcyjnej.

IXYS jest znany ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie technologii półprzewodników mocy oraz zdolności do zapewnienia klientom o wysokiej wydajności i opłacalności. Firma jest zaangażowana w innowacje, badania i rozwój oraz aktywnie bierze udział w rozwoju nowych technologii i rozwiązań dla rynku półprzewodników energetycznych. IXYS jest uznanym liderem na rynku półprzewodników mocy i nadal zapewnia wysokiej jakości produkty i usługi dla swoich klientów.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com