NIMD6302R2 Arkusz danych(PDF) - ON Semiconductor

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

NIMD6302R2 Arkusz danych (PDF) - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet PDF - ON Semiconductor


Numer części	NIMD6302R2

Pobierz	NIMD6302R2 Pobierz

Rozmiar pliku	97.01 Kbytes

Page	12 Pages

Producent	ONSEMI [ON Semiconductor]

Strona internetowa	http://www.onsemi.com

Logo

Szczegółowy opis

HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET

NIMD6302R2 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Pobierz Arkusz danych

NIMD6302R2 Datasheet PDF - ON Semiconductor


Numer części	NIMD6302R2

Pobierz	NIMD6302R2 Click to download

Rozmiar pliku	97.01 Kbytes

Page	12 Pages

Producent	ONSEMI [ON Semiconductor]

Strona internetowa	http://www.onsemi.com

Logo

Szczegółowy opis	HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET

NIMD6302R2 Arkusz danych (HTML) - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet HTML 1Page - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet HTML 2Page - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet HTML 3Page - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet HTML 4Page - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet HTML 5Page - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet HTML 6Page - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet HTML 7Page - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet HTML 8Page - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet HTML 9Page - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet HTML 10Page - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Szczegóły Produktu

HDPlus devices are an advanced HDTMOS™ series of power MOSFET which utilize ON’s latest MOSFET technology process to achieve the lowest possible on–resistance per silicon area while incorporating smart features. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes. The avalanche energy is specified to eliminate guesswork in designs where inductive loads are switched and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
This HDPlus device features an integrated Gate–to–Source clamp for ESD protection. Also, this device features a mirror FET for current monitoring.

• ±3.5% Current Mirror Accuracy in Linear Region
• ±15% Current Mirror Accuracy in Low Current Saturation Region
• IDSS Specified at Elevated Temperature
• Avalanche Energy Specified
• Current Sense FET
• ESD Protected on the Main and the Mirror FET

Podobny numer części - NIMD6302R2

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
ON Semiconductor	NIMD6302R2	90Kb / 9P	HDPlus Dual N?묬hannel Self?뭦rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET March, 2006 ??Rev. 4
ON Semiconductor	NIMD6302R2	90Kb / 9P	HDPlus Dual N?묬hannel Self?뭦rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET March, 2006 ??Rev. 4

Podobny opis - NIMD6302R2

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
ON Semiconductor	NIF5002N	58Kb / 6P	Self-Protected FET with Temperature and Current Limit January, 2004 ??Rev. 5
	NIF62514	57Kb / 6P	Self-protected FET with Temperature and Current Limit April, 2003 - Rev. 3
	NID5001N	53Kb / 6P	Self-protected FET with Temperature and Current Limit January, 2004 ??Rev. 6
	NILMS4501N	90Kb / 9P	Power MOSFET with Current Mirror FET May, 2006 ??Rev. 4
	NIMD6302R2	90Kb / 9P	HDPlus Dual N?묬hannel Self?뭦rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET March, 2006 ??Rev. 4
	NCV8402D	152Kb / 10P	Dual Self-Protected Low-Side Driver with Temperature and Current Limit Octtober, 2009 ??Rev. 0
	NID5003NT4G	112Kb / 5P	Self-Protected FET with Temperature and Current Limit September, 2008??Rev. 6
	NCV8402AD	124Kb / 10P	Dual Self-Protected Low-Side Driver with Temperature and Current Limit November, 2011 ??Rev. 1
	NIC5004TS1	110Kb / 3P	Self-Protected FET August, 2012 ??Rev. 1
Pan Jit International I...	PJA3416AE-AU	2Mb / 6P	20V N-Channe lEnhancement Mode MOSFET – ESD Protected May 5,2021 PJA3416AE-AU-REV.00

O ON Semiconductor

„ON Semiconductor to firma notowana publicznie, która projektuje, rozwija i produkuje szeroką gamę produktów półprzewodnikowych dla różnych aplikacji, w tym rynków motoryzacyjnych, komputerowych, towarów konsumpcyjnych, przemysłowych i komunikacyjnych.
Firma została założona w 1999 roku i ma siedzibę w Phoenix w Arizonie.
Na półprzewodnikach oferuje szerokie portfolio zarządzania energią, analogowe i dyskretne półprzewodniki, w tym między innymi MOSFETEM, diod, prostowników, regulatorów napięcia.
Produkty firmy są zaprojektowane tak, aby były energooszczędne, niezawodne i opłacalne i są wykorzystywane w różnych aplikacjach, w tym w przenośnej elektronice, systemach automatyzacji przemysłowej, systemach energii odnawialnej i elektronice motoryzacyjnej.
Na półprzewodnikach jest zaangażowany w innowacje i satysfakcję klientów i jest zaangażowany w zapewnianie najlepszych rozwiązań półprzewodników w celu zaspokojenia potrzeb naszych klientów ”.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com