Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

HMA81GS6AFR8N-TF Arkusz danych (PDF) - Hynix Semiconductor

HMA81GS6AFR8N-TF Datasheet PDF - Hynix Semiconductor
Numer części HMA81GS6AFR8N-TF
Pobierz  HMA81GS6AFR8N-TF Pobierz
Rozmiar pliku   1643.35 Kbytes
Page   73 Pages
Producent  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Szczegółowy opis DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb A-die

HMA81GS6AFR8N-TF Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
HMA81GS6AFR8N-TF Datasheet PDF - Hynix Semiconductor

Numer części HMA81GS6AFR8N-TF
Pobierz  HMA81GS6AFR8N-TF Click to download

Rozmiar pliku   1643.35 Kbytes
Page   73 Pages
Producent  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Szczegółowy opis DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb A-die

HMA81GS6AFR8N-TF Arkusz danych (HTML) - Hynix Semiconductor


HMA81GS6AFR8N-TF Szczegóły Produktu

Description
SK hynix Unbuffered Small Outline DDR4 SDRAM DIMMs (Unbuffered Small Outine Double Data Rate Synchronous
DRAM Dual In-Line Memory Modules) are low power, high-speed operation memory modules
that use DDR4 SDRAM devices. These DDR4 SDRAM Unbuffered Small Outline DIMMs are intended for use
as main memory when installed in systems such as micro servers and mobile personal computres.

Features
• Power Supply: VDD=1.2V (1.14V to 1.26V)
• VDDQ = 1.2V (1.14V to 1.26V)
• VPP - 2.5V (2.375V to 2.75V)
• VDDSPD=2.25V to 3.6V
• Functionality and operations comply with the DDR4 SDRAM datasheet
• 16 internal banks
• Bank Grouping is applied, and CAS to CAS latency (tCCD_L, tCCD_S) for the banks in the same or different
bank group accesses are available
• Data transfer rates: PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600
• Bi-Directional Differential Data Strobe
• 8 bit pre-fetch
• Burst Length (BL) switch on-the-fly BL8 or BC4(Burst Chop)
• Supports ECC error correction and detection
• On-Die Termination (ODT)
• Temperature sensor with integrated SPD
• This product is in compliance with the RoHS directive.
• Per DRAM Addressability is supported
• Internal Vref DQ level generation is available




Podobny numer części - HMA81GS6AFR8N-TF

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Hynix Semiconductor
HMA81GS6CJR8N HYNIX-HMA81GS6CJR8N Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
HMA81GS6CJR8N-UH HYNIX-HMA81GS6CJR8N-UH Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
HMA81GS6CJR8N-VK HYNIX-HMA81GS6CJR8N-VK Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
HMA81GS6CJR8N-WM HYNIX-HMA81GS6CJR8N-WM Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
HMA81GS6CJR8N-XN HYNIX-HMA81GS6CJR8N-XN Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
More results


Podobny opis - HMA81GS6AFR8N-TF

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Elpida Memory
EBJ81UG8BBU0 ELPIDA-EBJ81UG8BBU0 Datasheet
152Kb / 16P
8GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
logo
Hynix Semiconductor
HMA81GS6MFR8N HYNIX-HMA81GS6MFR8N Datasheet
1Mb / 71P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb M-die
HMA81GU6MFR8N HYNIX-HMA81GU6MFR8N Datasheet
1Mb / 72P
DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Based on 8Gb M-die
HMA425S6AFR6N HYNIX-HMA425S6AFR6N Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 4Gb A-die
HMA451R7AFR8N HYNIX-HMA451R7AFR8N Datasheet
1Mb / 79P
DDR4 SDRAM Registered DIMM Based on 4Gb A-die
logo
Samsung semiconductor
K4A8G045WB SAMSUNG-K4A8G045WB Datasheet
1Mb / 73P
8Gb B-die DDR4 SDRAM
logo
Hynix Semiconductor
HMA425U6AFR6N HYNIX-HMA425U6AFR6N Datasheet
1Mb / 75P
DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Based on 4Gb A-die
HMA851S6CJR6N HYNIX-HMA851S6CJR6N Datasheet
1Mb / 77P
DDR4 SDRAM SO-DIMM Based on 8Gb C-die
logo
Advantech Co., Ltd.
AQD-SD4L8GN24-HEI ADVANTECH-AQD-SD4L8GN24-HEI Datasheet
542Kb / 12P
260Pin DDR4 2400 1.2V SO-DIMM 8GB Based on 1024Mx8
2017-05-17
AQD-SD4U8GE24-SE ADVANTECH-AQD-SD4U8GE24-SE Datasheet
250Kb / 15P
260 Pin DDR4 1.2V 2400 ECC SO-DIMM 8GB Based on 1Gx8
2017-03-13
More results




O Hynix Semiconductor


Hynix Semiconductor to południowokoreańska firma specjalizująca się w projektowaniu i produkcji półprzewodników pamięci.
Firma została założona w 1983 roku i ma siedzibę w Icheon w Korei Południowej.
Hynix jest jednym z wiodących na świecie producentów DRAM (dynamiczna pamięć o losowym dostępie) i pamięci NAND Flash, które są używane w różnych aplikacjach, takich jak systemy komputerowe, urządzenia mobilne i napędowe solidne.
Hynix jest znany ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie technologii półprzewodników i zdolności do dostarczania wysokiej jakości i wysokiej wydajności produktów pamięci dla swoich klientów.
Firma ma działalność i obiekty w różnych krajach na całym świecie i ściśle współpracuje z klientami, aby zapewnić niestandardowe rozwiązania pamięci, które spełniają ich konkretne wymagania i potrzeby.
Oprócz produktów pamięci, Hynix zapewnia również szereg produktów i rozwiązań dla rynków motoryzacyjnych i centralnych danych, takich jak produkty System-on-a-Chip (SOC) i pamięć o dużej przepustowości (HBM).

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com