V10PWM12 Arkusz danych(PDF) - Vishay Siliconix

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

V10PWM12 Arkusz danych (PDF) - Vishay Siliconix

V10PWM12 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Numer części	V10PWM12

Pobierz	V10PWM12 Pobierz

Rozmiar pliku	140.71 Kbytes

Page	5 Pages

Producent	VISHAY [Vishay Siliconix]

Strona internetowa	http://www.vishay.com

Logo

Szczegółowy opis

High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

V10PWM12 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Pobierz Arkusz danych

V10PWM12 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Numer części	V10PWM12

Pobierz	V10PWM12 Click to download

Rozmiar pliku	140.71 Kbytes

Page	5 Pages

Producent	VISHAY [Vishay Siliconix]

Strona internetowa	http://www.vishay.com

Logo

Szczegółowy opis	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

V10PWM12 Arkusz danych (HTML) - Vishay Siliconix

V10PWM12 Datasheet HTML 1Page - Vishay Siliconix

V10PWM12 Datasheet HTML 2Page - Vishay Siliconix

V10PWM12 Datasheet HTML 3Page - Vishay Siliconix

V10PWM12 Datasheet HTML 4Page - Vishay Siliconix

V10PWM12 Datasheet HTML 5Page - Vishay Siliconix

V10PWM12 Szczegóły Produktu

• Very low profile - typical height of 1.3 mm
• Trench MOS Schottky technology
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Podobny numer części - V10PWM12

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Vishay Siliconix	V10PWM10	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 5 A 04-Mar-2021
	V10PWM10-M3/I	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 5 A 04-Mar-2021
	V10PWM10HM3/I	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 5 A 04-Mar-2021
	V10PWM153	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 29-Jan-2021
	V10PWM153-M3/I	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 29-Jan-2021

Podobny opis - V10PWM12

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Vishay Siliconix	V10P6-M3	95Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A 04-May-15
	V35PW12	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PW15	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM10	123Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM15	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM45	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM60	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PW12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM10C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17

O Vishay Siliconix

Vishay Siliconix jest spółką zależną Vishay Intertechnology, globalnego producenta pasywnych komponentów elektronicznych.
Vishay Siliconix specjalizuje się w projektowaniu, produkcji i marketingu mosfetów energetycznych, IGBT i innych półprzewodników mocy.
Firma została założona w 1962 roku i ma siedzibę w Santa Clara w Kalifornii.
Vishay Siliconix zapewnia rozwiązania energetyczne dla różnych zastosowań, w tym systemy energii odnawialnej, sprzęt przemysłowy, komputer i telekomunikacja oraz elektronika samochodowa.
Produkty firmy są przeznaczone do wysokiej wydajności, niskiej zużycia energii i wysokiej niezawodności i są wytwarzane w najnowocześniejszych obiektach przy użyciu zaawansowanych procesów produkcyjnych.
Koncentrując się na innowacjach i satysfakcji klientów, Vishay Siliconix jest zaangażowany w zapewnianie swoim klientom najlepszych rozwiązań do zarządzania energią w celu zaspokojenia ich potrzeb.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com