Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

MMDF1N05ER2G Arkusz danych (PDF) - ON Semiconductor

MMDF1N05ER2G Datasheet PDF - ON Semiconductor
Numer części MMDF1N05ER2G
Pobierz  MMDF1N05ER2G Pobierz
Rozmiar pliku   211.3 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  ONSEMI [ON Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Szczegółowy opis Power MOSFET 2 A, 50 V, N-Channel SO-8, Dual

MMDF1N05ER2G Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
MMDF1N05ER2G Datasheet PDF - ON Semiconductor

Numer części MMDF1N05ER2G
Pobierz  MMDF1N05ER2G Click to download

Rozmiar pliku   211.3 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  ONSEMI [ON Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Szczegółowy opis Power MOSFET 2 A, 50 V, N-Channel SO-8, Dual

MMDF1N05ER2G Arkusz danych (HTML) - ON Semiconductor


MMDF1N05ER2G Szczegóły Produktu

These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on)
and true logic level performance. They are capable of withstanding
high energy in the avalanche and commutation modes and the
drain−to−source diode has a low reverse recovery time. These devices
are designed for use in low voltage, high speed switching applications
where power efficiency is important. Typical applications are dc−dc
converters, and power management in portable and battery powered
products such as computers, printers, cellular and cordless phones.
They can also be used for low voltage motor controls in mass storage
products such as disk drives and tape drives. The avalanche energy is
specified to eliminate the guesswork in designs where inductive loads
are switched and offer additional safety margin against unexpected
voltage transients.

Features
• Ultra Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Logic Level Gate Drive − Can Be Driven by Logic ICs
• Miniature SO−8 Surface Mount Package − Saves Board Space
• Diode Is Characterized for Use In Bridge Circuits
• Diode Exhibits High Speed
• Avalanche Energy Specified
• Mounting Information for SO−8 Package Provided
• IDSS Specified at Elevated Temperature
• This is a Pb−Free Device
• MVDF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable




Podobny numer części - MMDF1N05ER2G

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
ON Semiconductor
MMDF1N05ER2G ONSEMI-MMDF1N05ER2G Datasheet
76Kb / 5P
Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel SO-8, Dual
February, 2006 ??Rev. 8
logo
VBsemi Electronics Co.,...
MMDF1N05ER2G VBSEMI-MMDF1N05ER2G Datasheet
1Mb / 9P
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET
More results


Podobny opis - MMDF1N05ER2G

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
ON Semiconductor
MMDF1N05E ONSEMI-MMDF1N05E Datasheet
76Kb / 5P
Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel SO-8, Dual
February, 2006 ??Rev. 8
NTMD6601NR2G ONSEMI-NTMD6601NR2G Datasheet
100Kb / 6P
Power MOSFET 80 V, 2.2 A, Dual N-Channel, SO-8
February, 2008 - Rev. 0
NTMFS4744N ONSEMI-NTMFS4744N Datasheet
93Kb / 7P
Power MOSFET 30 V, 53 A, Single N-Channel, SO-8 FL
July, 2007 - Rev. 4
NTMS4705N ONSEMI-NTMS4705N Datasheet
96Kb / 5P
Power MOSFET 30 V, 12 A, Single N-Channel, SO-8
October, 2007 - Rev. 3
NTMS4807N ONSEMI-NTMS4807N Datasheet
93Kb / 5P
Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8
December, 2007 - Rev. 0
NTMS4816N ONSEMI-NTMS4816N Datasheet
94Kb / 5P
Power MOSFET 30 V, 11 A, N-Channel, SO-8
December, 2007 - Rev. 0
logo
STMicroelectronics
STS8DN3LLH5 STMICROELECTRONICS-STS8DN3LLH5 Datasheet
775Kb / 12P
Dual N-channel 30 V, 0.0155 廓, 10 A, SO-8 STripFET??V Power MOSFET
12-Jan-2010
logo
ON Semiconductor
MMDFS6N303 ONSEMI-MMDFS6N303 Datasheet
252Kb / 11P
N-Channel SO-8 Power MOSFET
August, 2006 ??Rev. 3
MMSF5N02HD ONSEMI-MMSF5N02HD Datasheet
269Kb / 10P
N-Channel SO-8 Power MOSFET
August, 2006 ??Rev. 7
NTMFS4C13N ONSEMI-NTMFS4C13N Datasheet
181Kb / 8P
MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 38 A
May, 2019 - Rev. 2
More results




O ON Semiconductor


„ON Semiconductor to firma notowana publicznie, która projektuje, rozwija i produkuje szeroką gamę produktów półprzewodnikowych dla różnych aplikacji, w tym rynków motoryzacyjnych, komputerowych, towarów konsumpcyjnych, przemysłowych i komunikacyjnych.
Firma została założona w 1999 roku i ma siedzibę w Phoenix w Arizonie.
Na półprzewodnikach oferuje szerokie portfolio zarządzania energią, analogowe i dyskretne półprzewodniki, w tym między innymi MOSFETEM, diod, prostowników, regulatorów napięcia.
Produkty firmy są zaprojektowane tak, aby były energooszczędne, niezawodne i opłacalne i są wykorzystywane w różnych aplikacjach, w tym w przenośnej elektronice, systemach automatyzacji przemysłowej, systemach energii odnawialnej i elektronice motoryzacyjnej.
Na półprzewodnikach jest zaangażowany w innowacje i satysfakcję klientów i jest zaangażowany w zapewnianie najlepszych rozwiązań półprzewodników w celu zaspokojenia potrzeb naszych klientów ”.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com