Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Preview PDF HTML

NTH4L080N120SC1 Arkusz danych (PDF) - ON Semiconductor
NTH4L080N120SC1 Datasheet PDF - ON Semiconductor
Numer części NTH4L080N120SC1_V01
Pobierz  NTH4L080N120SC1 Pobierz
Rozmiar pliku   409.41 Kbytes
Page   8 Pages
Producent  ONSEMI [ON Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Szczegółowy opis Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

NTH4L080N120SC1 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
NTH4L080N120SC1 Datasheet PDF - ON Semiconductor

Numer części NTH4L080N120SC1_V01
Pobierz  NTH4L080N120SC1 Click to download

Rozmiar pliku   409.41 Kbytes
Page   8 Pages
Producent  ONSEMI [ON Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Szczegółowy opis Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

NTH4L080N120SC1 Arkusz danych (HTML) - ON Semiconductor


NTH4L080N120SC1 Szczegóły Produktu

Description
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology
that provide superior switching performance and higher reliability
compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact
chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently,
system benefits include highest efficiency, faster operation frequency,
increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Features
• 1200 V @ TJ = 175°C
• Max RDS(on) = 110 m at VGS = 20 V, ID = 20 A
• High Speed Switching with Low Capacitance
• 100% Avalanche Tested
• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,
Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications
• Industrial Motor Drive
• UPS
• Boost Inverter
• PV Charger




Podobny numer części - NTH4L080N120SC1_V01

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
ON Semiconductor		 NTH4L080N120SC1 ONSEMI-NTH4L080N120SC1_V02 Datasheet
411Kb / 8P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, TO-247-4L
January, 2023 - Rev. 3
More results


Podobny opis - NTH4L080N120SC1_V01

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
ON Semiconductor		 NVHL080N120SC1 ONSEMI-NVHL080N120SC1_V01 Datasheet
363Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 4
NTH4L040N120SC1 ONSEMI-NTH4L040N120SC1_V01 Datasheet
360Kb / 8P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L
May, 2022 - Rev. 3
NTH4L160N120SC1 ONSEMI-NTH4L160N120SC1_V01 Datasheet
356Kb / 8P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L
May, 2022 - Rev. 4
NTHL080N120SC1A ONSEMI-NTHL080N120SC1A_V01 Datasheet
363Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
May, 2022 - Rev. 3
NTH4L020N120SC1 ONSEMI-NTH4L020N120SC1_V01 Datasheet
362Kb / 8P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L
May, 2022 - Rev. 4
NTHL080N120SC1 ONSEMI-NTHL080N120SC1_V01 Datasheet
365Kb / 7P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
January, 2023 - Rev. 6
NVH4L020N120SC1 ONSEMI-NVH4L020N120SC1_V01 Datasheet
363Kb / 8P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L
May, 2022 - Rev. 4
NVH4L040N120SC1 ONSEMI-NVH4L040N120SC1_V01 Datasheet
363Kb / 8P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L
May, 2022 - Rev. 3
NTH4L040N120SC1 ONSEMI-NTH4L040N120SC1_V02 Datasheet
361Kb / 8P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L
January, 2023 - Rev. 4
NVH4L160N120SC1 ONSEMI-NVH4L160N120SC1_V01 Datasheet
358Kb / 8P		 Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L
May, 2022 - Rev. 4
More results




O ON Semiconductor

„ON Semiconductor to firma notowana publicznie, która projektuje, rozwija i produkuje szeroką gamę produktów półprzewodnikowych dla różnych aplikacji, w tym rynków motoryzacyjnych, komputerowych, towarów konsumpcyjnych, przemysłowych i komunikacyjnych.
Firma została założona w 1999 roku i ma siedzibę w Phoenix w Arizonie.
Na półprzewodnikach oferuje szerokie portfolio zarządzania energią, analogowe i dyskretne półprzewodniki, w tym między innymi MOSFETEM, diod, prostowników, regulatorów napięcia.
Produkty firmy są zaprojektowane tak, aby były energooszczędne, niezawodne i opłacalne i są wykorzystywane w różnych aplikacjach, w tym w przenośnej elektronice, systemach automatyzacji przemysłowej, systemach energii odnawialnej i elektronice motoryzacyjnej.
Na półprzewodnikach jest zaangażowany w innowacje i satysfakcję klientów i jest zaangażowany w zapewnianie najlepszych rozwiązań półprzewodników w celu zaspokojenia potrzeb naszych klientów ”.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com