Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Preview PDF HTML

NXH020U90MNF2PTG Arkusz danych (PDF) - ON Semiconductor
NXH020U90MNF2PTG Datasheet PDF - ON Semiconductor
Numer części NXH020U90MNF2PTG_V01
Pobierz  NXH020U90MNF2PTG Pobierz
Rozmiar pliku   2200.99 Kbytes
Page   14 Pages
Producent  ONSEMI [ON Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Szczegółowy opis Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 2x10mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2 x 100 A, Vienna Module 900 V, F2 Package

NXH020U90MNF2PTG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
NXH020U90MNF2PTG Datasheet PDF - ON Semiconductor

Numer części NXH020U90MNF2PTG_V01
Pobierz  NXH020U90MNF2PTG Click to download

Rozmiar pliku   2200.99 Kbytes
Page   14 Pages
Producent  ONSEMI [ON Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Szczegółowy opis Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 2x10mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2 x 100 A, Vienna Module 900 V, F2 Package

NXH020U90MNF2PTG Arkusz danych (HTML) - ON Semiconductor


NXH020U90MNF2PTG Szczegóły Produktu

The NXH020U90MNF2 is a power module containing a Vienna
Rectifier module consisting of two 10 m, 900 V SiC MOSFETs, two
100 A, 1200 V SiC diodes and a thermistor in an F2 package.

Features
• Neutral Point: 10 m, 900 V SiC MOSFETs
• Boost Diodes: 100 A, 1200 V SiC Diodes
• Thermistor
• Pre−Applied TIM
• Press−Fit Pins
• These Devices are Pb−Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications
• Electric Vehicle Charging Stations
• Uninterruptible Power Supplies
• Energy Storage Systems




Podobny numer części - NXH020U90MNF2PTG_V01

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
ON Semiconductor		 NXH020U90MNF2PTG ONSEMI-NXH020U90MNF2PTG Datasheet
2Mb / 14P		 F2-VIENNA SiC MOSFET Module
August, 2021 ??Rev. 0
More results


Podobny opis - NXH020U90MNF2PTG_V01

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
ON Semiconductor		 NXH020U90MNF2PTG ONSEMI-NXH020U90MNF2PTG Datasheet
2Mb / 14P		 F2-VIENNA SiC MOSFET Module
August, 2021 ??Rev. 0
NXH006P120MNF2PTG ONSEMI-NXH006P120MNF2PTG_V01 Datasheet
1Mb / 10P		 Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 6 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
February, 2023 - Rev. 4
NXH010P120MNF1PTNG ONSEMI-NXH010P120MNF1PTNG_V01 Datasheet
1Mb / 13P		 Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 10 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
February, 2023 - Rev. P4
NXH020P120MNF1PTG ONSEMI-NXH020P120MNF1PTG_V01 Datasheet
1Mb / 14P		 Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 20 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
February, 2023 - Rev. P2
NXH040P120MNF1PTG ONSEMI-NXH040P120MNF1PTG_V01 Datasheet
1Mb / 8P		 Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
February, 2023 - Rev. P1
NXH40B120MNQ0SNG ONSEMI-NXH40B120MNQ0SNG_V01 Datasheet
645Kb / 13P		 Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package
February, 2023 - Rev. 2
NXH40B120MNQ1SNG ONSEMI-NXH40B120MNQ1SNG_V01 Datasheet
923Kb / 12P		 Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package
February, 2023 - Rev. P2
NXH80B120MNQ0SNG ONSEMI-NXH80B120MNQ0SNG_V01 Datasheet
679Kb / 13P		 Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package
February, 2023 - Rev. P2
NXH007F120M3F2PTHG ONSEMI-NXH007F120M3F2PTHG Datasheet
502Kb / 11P		 Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 7 mohm, 1200 V, SiC M3S MOSFET, Full Bridge, F2 Package
November, 2023 - Rev. P1
NXH011F120M3F2PTHG ONSEMI-NXH011F120M3F2PTHG Datasheet
518Kb / 12P		 Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 11 mohm, 1200 V, SiC M3S MOSFET, Full Bridge, F2 Package
November, 2023 - Rev. P1
More results




O ON Semiconductor

„ON Semiconductor to firma notowana publicznie, która projektuje, rozwija i produkuje szeroką gamę produktów półprzewodnikowych dla różnych aplikacji, w tym rynków motoryzacyjnych, komputerowych, towarów konsumpcyjnych, przemysłowych i komunikacyjnych.
Firma została założona w 1999 roku i ma siedzibę w Phoenix w Arizonie.
Na półprzewodnikach oferuje szerokie portfolio zarządzania energią, analogowe i dyskretne półprzewodniki, w tym między innymi MOSFETEM, diod, prostowników, regulatorów napięcia.
Produkty firmy są zaprojektowane tak, aby były energooszczędne, niezawodne i opłacalne i są wykorzystywane w różnych aplikacjach, w tym w przenośnej elektronice, systemach automatyzacji przemysłowej, systemach energii odnawialnej i elektronice motoryzacyjnej.
Na półprzewodnikach jest zaangażowany w innowacje i satysfakcję klientów i jest zaangażowany w zapewnianie najlepszych rozwiązań półprzewodników w celu zaspokojenia potrzeb naszych klientów ”.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com