Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Preview PDF HTML

SCTWA35N65G2VAG Arkusz danych (PDF) - STMicroelectronics
SCTWA35N65G2VAG Datasheet PDF - STMicroelectronics
Numer części SCTWA35N65G2VAG
Pobierz  SCTWA35N65G2VAG Pobierz
Rozmiar pliku   243.64 Kbytes
Page   12 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package

SCTWA35N65G2VAG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
SCTWA35N65G2VAG Datasheet PDF - STMicroelectronics

Numer części SCTWA35N65G2VAG
Pobierz  SCTWA35N65G2VAG Click to download

Rozmiar pliku   243.64 Kbytes
Page   12 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package

SCTWA35N65G2VAG Arkusz danych (HTML) - STMicroelectronics


SCTWA35N65G2VAG Szczegóły Produktu

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance

Applications
• Switching mode power supply
• EV chargers
• DC-DC converters

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.




Podobny numer części - SCTWA35N65G2VAG

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 SCTWA35N65G2V STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2V Datasheet
479Kb / 12P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247 long leads package
09-Oct-2024
SCTWA35N65G2V-4 STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2V-4 Datasheet
195Kb / 12P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247-4 package
02-Dec-2020
logo
Inchange Semiconductor ...		 SCTWA35N65G2V4AG ISC-SCTWA35N65G2V4AG Datasheet
375Kb / 4P		 SiC N-Channel MOSFET
More results


Podobny opis - SCTWA35N65G2VAG

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 SCTH35N65G2V-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH35N65G2V-7AG Datasheet
620Kb / 15P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A,55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
24-Jan-2020
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
More results




O STMicroelectronics

Stmicroelectronics to międzynarodowy producent elektroniki i półprzewodników z siedzibą w Genewie w Szwajcarii.

Firma oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, czujniki, wzmacniacze energetyczne i obwody zintegrowane dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.

Założona w 1987 r. Stmicroelectronics prowadzi działalność w ponad 100 krajach i jest jedną z największych firm półprzewodników na świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com