NE321000 Arkusz danych(PDF)

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

NE321000 Arkusz danych (PDF) - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


Numer części	NE321000

Pobierz	NE321000 Pobierz

Rozmiar pliku	215.03 Kbytes

Page	14 Pages

Producent	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Strona internetowa	http://www.renesas.com

Logo

Szczegółowy opis

HETERO JUNCTION FIELDEFFECT TRANSISTOR

NE321000 Datasheet (PDF)

Pobierz Arkusz danych


Numer części	NE321000

Pobierz	NE321000 Click to download

Rozmiar pliku	215.03 Kbytes

Page	14 Pages

Producent	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Strona internetowa	http://www.renesas.com

Logo

Szczegółowy opis	HETERO JUNCTION FIELDEFFECT TRANSISTOR

NE321000 Arkusz danych (HTML) - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet HTML 1Page - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet HTML 2Page - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet HTML 3Page - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet HTML 4Page - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet HTML 5Page - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet HTML 6Page - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet HTML 7Page - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet HTML 8Page - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet HTML 9Page - Renesas Technology Corp

NE321000 Datasheet HTML 10Page - Renesas Technology Corp

NE321000 Szczegóły Produktu

DESCRIPTION
The NE321000 is Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its
excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems, industrial and
space applications.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz
• Gate Length: Lg £ 0.20 mm
• Gate Width : Wg = 160 mm

Podobny numer części - NE321000

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
NEC	NE321000	48Kb / 12P	C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP
California Eastern Labs	NE321000	135Kb / 6P	ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
	NE321000	141Kb / 6P	ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
	NE321000	135Kb / 6P	ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET

More results

Podobny opis - NE321000

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
California Eastern Labs	NE3512S02	270Kb / 8P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NE3514S02	285Kb / 8P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NE3515S02-A	415Kb / 9P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	NE3210S01	197Kb / 18P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 1999
	NE32484A	195Kb / 14P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 1991
	NE32500	199Kb / 10P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 1996
	NE32900	181Kb / 10P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 1997
	NE34018	250Kb / 18P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 2000
	NE38018	236Kb / 13P	Hetero Junction Field Effect transistor 2003
	NE21283A	718Kb / 12P	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 1990

More results

O Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp jest japońską firmą półprzewodników, która zapewnia szeroką gamę mikrokontrolerów, systemów i urządzeń analogowych i energetycznych dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.
Firma została utworzona w 2010 roku poprzez połączenie NEC Electronics Corporation i Renesas Technology Corporation.
Renesas jest jednym z największych dostawców mikrokontrolerów na świecie i jest znany ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie rozwoju zaawansowanych technologii w obszarach takich jak Internet of Things (IoT), sztuczna inteligencja (AI) i elektronika motoryzacyjna.
Firma prowadzi działalność w ponad 20 krajach, a jej produkty są wykorzystywane w szerokim zakresie aplikacji.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]
O Alldatasheet \| Reklama \| Kontakt \| Polityka prywatności \| Link do karty katalogowej \| Linki \| Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com