MJD18002D2 Arkusz danych(PDF) - ON Semiconductor

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

MJD18002D2 Arkusz danych (PDF) - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet PDF - ON Semiconductor


Numer części	MJD18002D2

Pobierz	MJD18002D2 Pobierz

Rozmiar pliku	129.06 Kbytes

Page	11 Pages

Producent	ONSEMI [ON Semiconductor]

Strona internetowa	http://www.onsemi.com

Logo

Szczegółowy opis

POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor

MJD18002D2 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Pobierz Arkusz danych

MJD18002D2 Datasheet PDF - ON Semiconductor


Numer części	MJD18002D2

Pobierz	MJD18002D2 Click to download

Rozmiar pliku	129.06 Kbytes

Page	11 Pages

Producent	ONSEMI [ON Semiconductor]

Strona internetowa	http://www.onsemi.com

Logo

Szczegółowy opis	POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor

MJD18002D2 Arkusz danych (HTML) - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 1Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 2Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 3Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 4Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 5Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 6Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 7Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 8Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 9Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 10Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Szczegóły Produktu

Bipolar NPN Transistor
High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector−Emitter Diode and Built−In Efficient Antisaturation Network

The MJD18002D2 is a state−of−the−art high speed, high gain bipolar transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no longer a need to guarantee an hFE window.

Features
• Low Base Drive Requirement
• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread
• Integrated Collector−Emitter Free Wheeling Diode
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCEsat
• Characteristics Make It Suitable for PFC Application
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V
Machine Model, C > 400 V
• Six Sigma® Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads
• Pb−Free Package is Available

Podobny numer części - MJD18002D2

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Motorola, Inc	MJD112	306Kb / 6P	SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
ON Semiconductor	MJD112	147Kb / 8P	Complementary Darlington Power Transistors August, 2004 ??Rev. 5
STMicroelectronics	MJD112	84Kb / 6P	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Sep-1997
KEC(Korea Electronics)	MJD112	394Kb / 2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
Fairchild Semiconductor	MJD112	51Kb / 5P	D-PAK for Surface Mount Applications

Podobny opis - MJD18002D2

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Motorola, Inc	BUH50	478Kb / 10P	POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS
	BUH51	387Kb / 10P	POWER TRANSISTOR 3 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS
	BUT34	287Kb / 8P	50 AMPERES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 850 VOLTS 250 WATTS
	BUV20	142Kb / 4P	50 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 125 VOLTS 250 WATTS
	BUX85	115Kb / 4P	2 AMPERES POWER TRANSISTOR NPN SILICON 450 VOLTS 50 WATTS
	MJE18002	254Kb / 10P	POWER TRANSISTOR 2.0 AMPERES 1000 VOLTS 25 and 50 WATTS
	MJE18002D2	152Kb / 4P	POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 1000 VOLTS 50 WATTS
ON Semiconductor	BUH50	478Kb / 10P	POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS
ON Semiconductor	BUH51	387Kb / 10P	POWER TRANSISTOR 3 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS 1995
Micro Commercial Compon...	MJE13007	573Kb / 3P	NPN Power Transistor 8.0 Amperes 400 Volts 2 Watts

O ON Semiconductor

„ON Semiconductor to firma notowana publicznie, która projektuje, rozwija i produkuje szeroką gamę produktów półprzewodnikowych dla różnych aplikacji, w tym rynków motoryzacyjnych, komputerowych, towarów konsumpcyjnych, przemysłowych i komunikacyjnych.
Firma została założona w 1999 roku i ma siedzibę w Phoenix w Arizonie.
Na półprzewodnikach oferuje szerokie portfolio zarządzania energią, analogowe i dyskretne półprzewodniki, w tym między innymi MOSFETEM, diod, prostowników, regulatorów napięcia.
Produkty firmy są zaprojektowane tak, aby były energooszczędne, niezawodne i opłacalne i są wykorzystywane w różnych aplikacjach, w tym w przenośnej elektronice, systemach automatyzacji przemysłowej, systemach energii odnawialnej i elektronice motoryzacyjnej.
Na półprzewodnikach jest zaangażowany w innowacje i satysfakcję klientów i jest zaangażowany w zapewnianie najlepszych rozwiązań półprzewodników w celu zaspokojenia potrzeb naszych klientów ”.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com