Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

MLD1N06CL Arkusz danych (PDF) - ON Semiconductor

MLD1N06CL Datasheet PDF - ON Semiconductor
Numer części MLD1N06CL
Pobierz  MLD1N06CL Pobierz
Rozmiar pliku   78.12 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  ONSEMI [ON Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Szczegółowy opis SMARTDISCRETES TM MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N?묬hannel DPAK

MLD1N06CL Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
MLD1N06CL Datasheet PDF - ON Semiconductor

Numer części MLD1N06CL
Pobierz  MLD1N06CL Click to download

Rozmiar pliku   78.12 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  ONSEMI [ON Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Szczegółowy opis SMARTDISCRETES TM MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N?묬hannel DPAK

MLD1N06CL Arkusz danych (HTML) - ON Semiconductor


MLD1N06CL Szczegóły Produktu

SMARTDISCRETES MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAK

The MLD1N06CL is designed for applications that require a rugged power switching device with short circuit protection that can be directly interfaced to a microcontrol unit (MCU). Ideal applications include automotive fuel injector driver, incandescent lamp driver or other applications where a high in−rush current or a shorted load condition could occur.
This Logic Level Power MOSFET features current limiting for short circuit protection, integrated Gate−Source clamping for ESD protection and integral Gate−Drain clamping for over−voltage protection and Sensefet technology for low on−resistance. No additional gate series resistance is required when interfacing to the output of a MCU, but a 40 k gate pulldown resistor is recommended to avoid a floating gate condition.
The internal Gate−Source and Gate−Drain clamps allow the device to be applied without use of external transient suppression components. The Gate−Source clamp protects the MOSFET input from electrostatic voltage stress up to 2.0 kV. The Gate−Drain clamp protects the MOSFET drain from the avalanche stress that occurs with inductive loads. Their unique design provides voltage clamping that is essentially independent of operating temperature.

Features
• Pb−Free Package is Available




Podobny numer części - MLD1N06CL

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Motorola, Inc
MLD1N06CL MOTOROLA-MLD1N06CL Datasheet
163Kb / 6P
VOLTAGE CLAMPED CURRENT LIMITING MOSFET
logo
VBsemi Electronics Co.,...
MLD1N06CLT4G VBSEMI-MLD1N06CLT4G Datasheet
1,004Kb / 8P
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
More results


Podobny opis - MLD1N06CL

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
ON Semiconductor
NTP18N06L ONSEMI-NTP18N06L Datasheet
92Kb / 12P
Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N?묬hannel TO??20 and DPAK)
October, 2003 ??Rev. 3
NTD3055L170 ONSEMI-NTD3055L170 Datasheet
93Kb / 8P
9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?묬hannel DPAK
August, 2004 ??Rev. 3
MLD2N06CL ONSEMI-MLD2N06CL Datasheet
79Kb / 7P
SMARTDISCRETES TM MOSFET 2 Amp, 62 Volts, Logic Level N?묬hannel DPAK
January, 2006 ??Rev. 2
MLP1N06CL ONSEMI-MLP1N06CL Datasheet
65Kb / 8P
SMARTDISCRETES TM MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N-Channel TO-220
November, 2000 ??Rev. 2
MLP2N06CL ONSEMI-MLP2N06CL Datasheet
80Kb / 7P
SMARTDISCRETES TM MOSFET 2 Amps, 62 Volts, Logic Level N?묬hannel TO??20
January, 2006 ??Rev. 2
MTD20N06HDL ONSEMI-MTD20N06HDL Datasheet
227Kb / 8P
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel DPAK
August, 2006 ??Rev. 6
NTD24N06L ONSEMI-NTD24N06L Datasheet
87Kb / 8P
Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N?묬hannel DPAK
August, 2005 ??Rev. 2
NTD20N06LT4G ONSEMI-NTD20N06LT4G Datasheet
128Kb / 8P
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, N?묬hannel DPAK
October, 2011 ??Rev. 3
NTD3055L104-001 ONSEMI-NTD3055L104-001 Datasheet
126Kb / 8P
12 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel DPAK
June, 2008 ??Rev. 6
NTD60N02R-35G ONSEMI-NTD60N02R-35G Datasheet
85Kb / 8P
Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK
December, 2006 ??Rev. 12
More results




O ON Semiconductor


„ON Semiconductor to firma notowana publicznie, która projektuje, rozwija i produkuje szeroką gamę produktów półprzewodnikowych dla różnych aplikacji, w tym rynków motoryzacyjnych, komputerowych, towarów konsumpcyjnych, przemysłowych i komunikacyjnych.
Firma została założona w 1999 roku i ma siedzibę w Phoenix w Arizonie.
Na półprzewodnikach oferuje szerokie portfolio zarządzania energią, analogowe i dyskretne półprzewodniki, w tym między innymi MOSFETEM, diod, prostowników, regulatorów napięcia.
Produkty firmy są zaprojektowane tak, aby były energooszczędne, niezawodne i opłacalne i są wykorzystywane w różnych aplikacjach, w tym w przenośnej elektronice, systemach automatyzacji przemysłowej, systemach energii odnawialnej i elektronice motoryzacyjnej.
Na półprzewodnikach jest zaangażowany w innowacje i satysfakcję klientów i jest zaangażowany w zapewnianie najlepszych rozwiązań półprzewodników w celu zaspokojenia potrzeb naszych klientów ”.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com