Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

ISL73847SEHDEMO2Z Arkusz danych (PDF) - Renesas Technology Corp

ISL73847SEHDEMO2Z Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Numer części ISL73847SEHDEMO2Z
Pobierz  ISL73847SEHDEMO2Z Pobierz
Rozmiar pliku   1636.47 Kbytes
Page   40 Pages
Producent  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Strona internetowa  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Szczegółowy opis Radiation Hardened 12V Half-Bridge GaN FET Driver

ISL73847SEHDEMO2Z Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
ISL73847SEHDEMO2Z Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

Numer części ISL73847SEHDEMO2Z
Pobierz  ISL73847SEHDEMO2Z Click to download

Rozmiar pliku   1636.47 Kbytes
Page   40 Pages
Producent  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Strona internetowa  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Szczegółowy opis Radiation Hardened 12V Half-Bridge GaN FET Driver

ISL73847SEHDEMO2Z Arkusz danych (HTML) - Renesas Technology Corp


ISL73847SEHDEMO2Z Szczegóły Produktu

Features
▪ Qualified to Renesas Rad Hard QML-V Equivalent
Screening and QCI Flow (R34TB0001EU)
• All screening and QCI is in accordance with
MIL-PRF-38535L Class-V
▪ Up to 20V bootstrap voltage half-bridge driver
▪ Programmable 4.5V to 5.5V gate drive voltage
▪ Single tri-level PWM input control
▪ Separate source and sink driver outputs
▪ High-side peak drive: 2A Sourcing, 4A Sinking
▪ Low-side peak drive: 4A Sourcing, 8A Sinking
▪ High and low side programmable dead time control
▪ Highly matched fast propagation delay: 29ns
▪ Full military temperature operation TA = -55°C to
125°C ambient range
▪ TID Rad Hard Assurance (RHA) testing
• LDR (≤ 10mrad(Si)/s): 75krad(Si)
▪ SEE Characterization (see SEE report for details)
• No DSEE with VDD = 20V or PHS = 13.5V at
LET 86MeV·cm2/mg
• No DSEE with VDD = 20V or PHS = 16.5V at
LET 67MeV·cm2/mg
• SEFI <10μm2 at 86MeV·cm2/mg
• No Half-Bridge Shoot-Through SET at LET
86MeV·cm2/mg




Podobny numer części - ISL73847SEHDEMO2Z

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Renesas Technology Corp
ISL73847SEH RENESAS-ISL73847SEH Datasheet
1Mb / 43P
Radiation Hardened Single/Dual Phase Current Mode PWM Controller
Feb 15, 2023
ISL73847SEH RENESAS-ISL73847SEH Datasheet
1Mb / 44P
Radiation Hardened Single/Dual Phase Current Mode PWM Controller
Jul 24, 2024
ISL73847SEHEV2Z RENESAS-ISL73847SEHEV2Z Datasheet
1Mb / 43P
Radiation Hardened Single/Dual Phase Current Mode PWM Controller
Feb 15, 2023
ISL73847SEHEV2Z RENESAS-ISL73847SEHEV2Z Datasheet
1Mb / 44P
Radiation Hardened Single/Dual Phase Current Mode PWM Controller
Jul 24, 2024
ISL73847SEHF RENESAS-ISL73847SEHF Datasheet
1Mb / 44P
Radiation Hardened Single/Dual Phase Current Mode PWM Controller
Jul 24, 2024
More results


Podobny opis - ISL73847SEHDEMO2Z

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Intersil Corporation
HS-2100RH INTERSIL-HS-2100RH Datasheet
73Kb / 2P
Radiation Hardened High Frequency Half Bridge Driver
June 1999
HS-4080ARH INTERSIL-HS-4080ARH Datasheet
82Kb / 4P
Radiation Hardened Full Bridge N-Channel FET Driver
IS-1715ARH INTERSIL-IS-1715ARH Datasheet
30Kb / 2P
Radiation Hardened Complementary Switch FET Driver
August 2000
IS-2100ARH INTERSIL-IS-2100ARH Datasheet
61Kb / 2P
Radiation Hardened High Frequency Half Bridge Driver
April 2003
IS-2100AEH INTERSIL-IS-2100AEH Datasheet
114Kb / 2P
Radiation Hardened High Frequency Half Bridge Drivers
August 28, 2012
logo
Renesas Technology Corp
ISL70040SEH RENESAS-ISL70040SEH Datasheet
1Mb / 20P
Radiation Hardened Low-Side GaN FET Driver
Jul 30, 2021
ISL71040M RENESAS-ISL71040M Datasheet
768Kb / 24P
Radiation Tolerant Low-Side GaN FET Driver
Dec 15, 2022
ISL73033SLHM RENESAS-ISL73033SLHM Datasheet
477Kb / 15P
Radiation Hardened Driver-GaN Power Stage with 100V GaN FET
Jul 30, 2021
logo
Texas Instruments
TPS7H6003-SP TI1-TPS7H6003-SP Datasheet
1Mb / 37P
TPS7H6003-SP Radiation-Hardness-Assured 200-V, 1.3-A, 2.5-A, Half Bridge GaN FET Gate Driver
JULY 2023
TPS7H6003-SP TI1-TPS7H6003-SP_V01 Datasheet
2Mb / 47P
TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3-A, 2.5-A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers
NOVEMBER 2023
More results




O Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp jest japońską firmą półprzewodników, która zapewnia szeroką gamę mikrokontrolerów, systemów i urządzeń analogowych i energetycznych dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.
Firma została utworzona w 2010 roku poprzez połączenie NEC Electronics Corporation i Renesas Technology Corporation.
Renesas jest jednym z największych dostawców mikrokontrolerów na świecie i jest znany ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie rozwoju zaawansowanych technologii w obszarach takich jak Internet of Things (IoT), sztuczna inteligencja (AI) i elektronika motoryzacyjna.
Firma prowadzi działalność w ponad 20 krajach, a jej produkty są wykorzystywane w szerokim zakresie aplikacji.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com