Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

V10150C Arkusz danych (PDF) - Vishay Siliconix

V10150C Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Numer części V10150C
Pobierz  V10150C Pobierz
Rozmiar pliku   168.07 Kbytes
Page   5 Pages
Producent  VISHAY [Vishay Siliconix]
Strona internetowa  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Szczegółowy opis High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A

V10150C Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
V10150C Datasheet PDF - Vishay Siliconix

Numer części V10150C
Pobierz  V10150C Click to download

Rozmiar pliku   168.07 Kbytes
Page   5 Pages
Producent  VISHAY [Vishay Siliconix]
Strona internetowa  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Szczegółowy opis High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A

V10150C Arkusz danych (HTML) - Vishay Siliconix


V10150C Szczegóły Produktu

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC



TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc

converters and reverse battery protection.



MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and TO-262AA

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum




Podobny numer części - V10150C

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Vishay Siliconix
V10150C VISHAY-V10150C Datasheet
161Kb / 5P
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
24-Jun-09
V10150C VISHAY-V10150C Datasheet
130Kb / 5P
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
23-Mar-11
V10150C VISHAY-V10150C Datasheet
168Kb / 5P
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
24-Jun-09
V10150C VISHAY-V10150C Datasheet
131Kb / 5P
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
23-Mar-11
V10150C VISHAY-V10150C Datasheet
150Kb / 4P
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 at IF = 3 A
07-Nov-17
More results


Podobny opis - V10150C

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Vishay Siliconix
V20100SG VISHAY-V20100SG Datasheet
160Kb / 5P
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
19-Oct-07
V10150S VISHAY-V10150S Datasheet
166Kb / 5P
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A
19-May-08
V20120SG VISHAY-V20120SG Datasheet
166Kb / 5P
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
19-May-08
V30120S VISHAY-V30120S_08 Datasheet
165Kb / 5P
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A
19-May-08
V10150S VISHAY-V10150S_15 Datasheet
156Kb / 5P
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A
13-Aug-13
VB10150S-M3 VISHAY-VB10150S-M3 Datasheet
86Kb / 4P
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A
30-Aug-13
VB20150S-M3 VISHAY-VB20150S-M3 Datasheet
89Kb / 4P
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5.0 A
30-Jun-14
VB10150C-M3 VISHAY-VB10150C-M3 Datasheet
88Kb / 4P
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A
30-Aug-13
VBT1080C-M3 VISHAY-VBT1080C-M3 Datasheet
89Kb / 4P
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 3 A
14-May-13
More results




O Vishay Siliconix


Vishay Siliconix jest spółką zależną Vishay Intertechnology, globalnego producenta pasywnych komponentów elektronicznych.
Vishay Siliconix specjalizuje się w projektowaniu, produkcji i marketingu mosfetów energetycznych, IGBT i innych półprzewodników mocy.
Firma została założona w 1962 roku i ma siedzibę w Santa Clara w Kalifornii.
Vishay Siliconix zapewnia rozwiązania energetyczne dla różnych zastosowań, w tym systemy energii odnawialnej, sprzęt przemysłowy, komputer i telekomunikacja oraz elektronika samochodowa.
Produkty firmy są przeznaczone do wysokiej wydajności, niskiej zużycia energii i wysokiej niezawodności i są wytwarzane w najnowocześniejszych obiektach przy użyciu zaawansowanych procesów produkcyjnych.
Koncentrując się na innowacjach i satysfakcji klientów, Vishay Siliconix jest zaangażowany w zapewnianie swoim klientom najlepszych rozwiązań do zarządzania energią w celu zaspokojenia ich potrzeb.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com