Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

MRFG35002N6AT1 Arkusz danych (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

MRFG35002N6AT1 Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc
Numer części MRFG35002N6AT1
Pobierz  MRFG35002N6AT1 Pobierz
Rozmiar pliku   187.31 Kbytes
Page   11 Pages
Producent  FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]
Strona internetowa  http://www.freescale.com
Logo FREESCALE - Freescale Semiconductor, Inc
Szczegółowy opis Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

MRFG35002N6AT1 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
MRFG35002N6AT1 Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc

Numer części MRFG35002N6AT1
Pobierz  MRFG35002N6AT1 Click to download

Rozmiar pliku   187.31 Kbytes
Page   11 Pages
Producent  FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]
Strona internetowa  http://www.freescale.com
Logo FREESCALE - Freescale Semiconductor, Inc
Szczegółowy opis Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

MRFG35002N6AT1 Arkusz danych (HTML) - Freescale Semiconductor, Inc


MRFG35002N6AT1 Szczegóły Produktu

3.5 GHz, 1.5 W, 6 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.

• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 6 Volts, IDQ = 65 mA, Pout = 158 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
   Power Gain — 10 dB
   Drain Efficiency — 26.5%
   ACPR @ 5 MHz Offset — -42 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
• 1.5 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW

Features
• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.




Podobny numer części - MRFG35002N6AT1

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Freescale Semiconductor...
MRFG35002N6T1 FREESCALE-MRFG35002N6T1 Datasheet
212Kb / 12P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35002N6T1 FREESCALE-MRFG35002N6T1 Datasheet
193Kb / 12P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35002N6T1 FREESCALE-MRFG35002N6T1_08 Datasheet
193Kb / 12P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
More results


Podobny opis - MRFG35002N6AT1

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Freescale Semiconductor...
MRFG35002N6T1 FREESCALE-MRFG35002N6T1_08 Datasheet
193Kb / 12P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35020AR1 FREESCALE-MRFG35020AR1 Datasheet
460Kb / 12P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003N6AT1 FREESCALE-MRFG35003N6AT1 Datasheet
221Kb / 11P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005MT1 FREESCALE-MRFG35005MT1_06 Datasheet
132Kb / 12P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003M6T1 FREESCALE-MRFG35003M6T1_06 Datasheet
132Kb / 12P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003ANT1 FREESCALE-MRFG35003ANT1 Datasheet
473Kb / 18P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005ANT1 FREESCALE-MRFG35005ANT1 Datasheet
452Kb / 13P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010MT1 FREESCALE-MRFG35010MT1 Datasheet
516Kb / 12P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
logo
NXP Semiconductors
MRFG35010AN NXP-MRFG35010AN Datasheet
1Mb / 25P
Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor
Rev. 4, 8/2013
MRFG35010A NXP-MRFG35010A Datasheet
490Kb / 18P
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
Rev. 2, 12/2008
More results




O Freescale Semiconductor, Inc


Freescale Semiconductor była amerykańską firmą półprzewodników, która została założona w 1948 roku.
Firma była wiodącym dostawcą mikrokontrolerów, czujników i innych produktów półprzewodnikowych do różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.
Produkty Freescale były znane z wysokiej wydajności, niskiej zużycia energii i małej formy.
Firma została przejęta przez NXP Semiconductors w 2015 r., A jej produkty i technologie są nadal opracowywane i sprzedawane pod marką NXP.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com