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IRF9130 Arkusz danych (PDF) - Samsung semiconductor

IRF9130 Datasheet PDF - Samsung semiconductor
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IRF9130 Datasheet (PDF)

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IRF9130 Szczegóły Produktu

FEATURES
• Low RDS(on)
• Improved inductive ruggedness
• Fsat switching times
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability




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