Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

NESG210719 Arkusz danych (PDF) - Renesas Technology Corp

NESG210719 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Numer części NESG210719
Pobierz  NESG210719 Pobierz

Rozmiar pliku   124.41 Kbytes
Page   10 Pages
Producent  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Strona internetowa  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Szczegółowy opis NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NESG210719 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
NESG210719 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

Numer części NESG210719
Pobierz  NESG210719 Click to download

Rozmiar pliku   124.41 Kbytes
Page   10 Pages
Producent  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Strona internetowa  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Szczegółowy opis NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NESG210719 Arkusz danych (HTML) - Renesas Technology Corp

NESG210719 Datasheet HTML 1Page - Renesas Technology Corp NESG210719 Datasheet HTML 2Page - Renesas Technology Corp NESG210719 Datasheet HTML 3Page - Renesas Technology Corp NESG210719 Datasheet HTML 4Page - Renesas Technology Corp NESG210719 Datasheet HTML 5Page - Renesas Technology Corp NESG210719 Datasheet HTML 6Page - Renesas Technology Corp NESG210719 Datasheet HTML 7Page - Renesas Technology Corp NESG210719 Datasheet HTML 8Page - Renesas Technology Corp NESG210719 Datasheet HTML 9Page - Renesas Technology Corp NESG210719 Datasheet HTML 10Page - Renesas Technology Corp

NESG210719 Szczegóły Produktu

FEATURES
• The NESG210719 is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr.
• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG)




Podobny numer części - NESG210719

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
NEC
NESG210719 NEC-NESG210719 Datasheet
114Kb / 3P
   NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
logo
California Eastern Labs
NESG210719 CEL-NESG210719 Datasheet
1Mb / 9P
   NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
NESG210719-A CEL-NESG210719-A Datasheet
1Mb / 9P
   NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
logo
NEC
NESG210719-T1 NEC-NESG210719-T1 Datasheet
114Kb / 3P
   NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
logo
California Eastern Labs
NESG210719-T1 CEL-NESG210719-T1 Datasheet
1Mb / 9P
   NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
More results


Podobny opis - NESG210719

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Renesas Technology Corp
NESG3032M14 RENESAS-NESG3032M14 Datasheet
168Kb / 15P
   NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
NESG3033M14 RENESAS-NESG3033M14 Datasheet
176Kb / 16P
   NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
2SC5761 RENESAS-2SC5761 Datasheet
305Kb / 16P
   NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION
May 2003
NESG2031M05 RENESAS-NESG2031M05 Datasheet
158Kb / 14P
   NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
NESG2021M05 RENESAS-NESG2021M05 Datasheet
159Kb / 14P
   NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
logo
California Eastern Labs
NESG2046M33 CEL-NESG2046M33 Datasheet
292Kb / 4P
   NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NESG204619 CEL-NESG204619 Datasheet
320Kb / 4P
   NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
logo
NEC
NESG2046M33 NEC-NESG2046M33 Datasheet
118Kb / 3P
   NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NESG210719 NEC-NESG210719 Datasheet
114Kb / 3P
   NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NESG204619 NEC-NESG204619 Datasheet
116Kb / 3P
   NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
More results




O Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp jest japońską firmą półprzewodników, która zapewnia szeroką gamę mikrokontrolerów, systemów i urządzeń analogowych i energetycznych dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.
Firma została utworzona w 2010 roku poprzez połączenie NEC Electronics Corporation i Renesas Technology Corporation.
Renesas jest jednym z największych dostawców mikrokontrolerów na świecie i jest znany ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie rozwoju zaawansowanych technologii w obszarach takich jak Internet of Things (IoT), sztuczna inteligencja (AI) i elektronika motoryzacyjna.
Firma prowadzi działalność w ponad 20 krajach, a jej produkty są wykorzystywane w szerokim zakresie aplikacji.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com