Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

FSJ055R4 Arkusz danych (PDF) - Intersil Corporation

FSJ055R4 Datasheet PDF - Intersil Corporation
Numer części FSJ055R4
Pobierz  FSJ055R4 Pobierz
Rozmiar pliku   325.07 Kbytes
Page   9 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis 70A, 60V, 0.012 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

FSJ055R4 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
FSJ055R4 Datasheet PDF - Intersil Corporation

Numer części FSJ055R4
Pobierz  FSJ055R4 Click to download

Rozmiar pliku   325.07 Kbytes
Page   9 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis 70A, 60V, 0.012 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

FSJ055R4 Arkusz danych (HTML) - Intersil Corporation


FSJ055R4 Szczegóły Produktu

The Discrete Products Operation of Intersil has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particular, is combined with 100K RADS of total dose hardness to provide devices which are ideally suited to harsh space environments. The dose rate and neutron tolerance necessary for military applications have not been sacrificed.

Features
• 70A, 60V, rDS(ON) = 0.012Ω
• Total Dose
    - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)
• Single Event
    - Safe Operating Area Curve for Single Event Effects
    - SEE Immunity for LET of 36MeV/mg/cm2 with VDS up to 80% of Rated Breakdown and VGS of 10V Off-Bias
• Dose Rate
    - Typically Survives 3E9 RAD (Si)/s at 80% BVDSS
    - Typically Survives 2E12 if Current Limited to IDM
• Photo Current
    - 6.0nA Per-RAD(Si)/s Typically
• Neutron
    - Maintain Pre-RAD Specifications for 3E13 Neutrons/cm2
    - Usable to 3E14 Neutrons/cm2




Podobny numer części - FSJ055R4

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Intersil Corporation
FSJ160D INTERSIL-FSJ160D Datasheet
60Kb / 9P
70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
June 1998
FSJ160D1 INTERSIL-FSJ160D1 Datasheet
60Kb / 9P
70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
June 1998
FSJ160D3 INTERSIL-FSJ160D3 Datasheet
60Kb / 9P
70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
June 1998
FSJ160R INTERSIL-FSJ160R Datasheet
60Kb / 9P
70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
June 1998
FSJ160R1 INTERSIL-FSJ160R1 Datasheet
60Kb / 9P
70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
June 1998
More results


Podobny opis - FSJ055R4

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Intersil Corporation
FSJ163D INTERSIL-FSJ163D Datasheet
56Kb / 8P
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
June 1999
FSL214D INTERSIL-FSL214D Datasheet
57Kb / 8P
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
October 1998
FSPL230R INTERSIL-FSPL230R Datasheet
81Kb / 8P
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
June 2000
FSPYC260R INTERSIL-FSPYC260R Datasheet
83Kb / 8P
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
May 2000
FSPYE230R INTERSIL-FSPYE230R Datasheet
83Kb / 8P
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
May 2000
FSYA254D INTERSIL-FSYA254D Datasheet
55Kb / 8P
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
March 1999
FSYA450D INTERSIL-FSYA450D Datasheet
56Kb / 8P
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
March 1999
FSYC055D INTERSIL-FSYC055D Datasheet
49Kb / 8P
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
July 1998
FSYE23A0D INTERSIL-FSYE23A0D Datasheet
57Kb / 8P
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
May 1999
FSYE430D INTERSIL-FSYE430D Datasheet
58Kb / 8P
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
June 1999
More results




O Intersil Corporation


Intersil Corporation była amerykańską firmą półprzewodników, która specjalizowała się w projektowaniu i produkcji wysokowydajnych obwodów zintegrowanych analogowych i mieszanych.
Firma została założona w 1967 r. I była znana ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie zarządzania energią, konwersją danych i technologii częstotliwości radiowej (RF).
Produkty Intersil były używane w szerokiej gamie zastosowań, takich jak elektronika konsumpcyjna, przemysł, telekomunikacja oraz lotnica i obrona.
W 2016 r. Intersil został przejęty przez Renesas Electronics Corporation, japońską firmę półprzewodników.
Marka i technologia Intersil są nadal opracowywane i sprzedawane w ramach portfela produktów Renesas.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com