Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

FSTYC9055R4 Arkusz danych (PDF) - Intersil Corporation

FSTYC9055R4 Datasheet PDF - Intersil Corporation
Numer części FSTYC9055R4
Pobierz  FSTYC9055R4 Pobierz

Rozmiar pliku   74.86 Kbytes
Page   8 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs

FSTYC9055R4 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
FSTYC9055R4 Datasheet PDF - Intersil Corporation

Numer części FSTYC9055R4
Pobierz  FSTYC9055R4 Click to download

Rozmiar pliku   74.86 Kbytes
Page   8 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs

FSTYC9055R4 Arkusz danych (HTML) - Intersil Corporation

FSTYC9055R4 Datasheet HTML 1Page - Intersil Corporation FSTYC9055R4 Datasheet HTML 2Page - Intersil Corporation FSTYC9055R4 Datasheet HTML 3Page - Intersil Corporation FSTYC9055R4 Datasheet HTML 4Page - Intersil Corporation FSTYC9055R4 Datasheet HTML 5Page - Intersil Corporation FSTYC9055R4 Datasheet HTML 6Page - Intersil Corporation FSTYC9055R4 Datasheet HTML 7Page - Intersil Corporation FSTYC9055R4 Datasheet HTML 8Page - Intersil Corporation

FSTYC9055R4 Szczegóły Produktu

The Discrete Products Operation of Intersil has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Immunity to Single Event Effects (SEE) is combined with 100K RADs of total dose hardness to provide devices which are ideally suited to harsh space environments. The dose rate and neutron tolerance necessary for military applications have not been sacrificed.

Features
• 62A, -60V, rDS(ON) = 0.023Ω
• Total Dose
    - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)
• Single Event
    - Safe Operating Area Curve for Single Event Effects
    - SEE Immunity for LET of 36MeV/mg/cm2 with VDS up to 80% of Rated Breakdown and VGS of 10V Off-Bias
• Dose Rate
    - Typically Survives 3E9 RAD (Si)/s at 80% BVDSS
    - Typically Survives 2E12 if Current Limited to IDM
• Photo Current
    - 6nA Per-RAD(Si)/s Typically
• Neutron
    - Maintain Pre-RAD Specifications for 3E13 Neutrons/cm2
    - Usable to 3E14 Neutrons/cm2




Podobny numer części - FSTYC9055R4

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Schurter Inc.
FST SCHURTER-FST Datasheet
75Kb / 2P
   Miniature Fuses Type FST 6,332 time-lag T
logo
Ohmite Mfg. Co.
FST OHMITE-FST Datasheet
246Kb / 1P
   Thin Film Temperature Sensor
logo
Vishay Siliconix
FST VISHAY-FST Datasheet
154Kb / 6P
   Wirewound Resistor, Industrial Power, Silicone Coated, Fixed Tubular
logo
Gamewell-FCI by Honeywe...
FST-10 GAMEWELL-FCI-FST-10 Datasheet
53Kb / 2P
   Duct Housing, 4-wire, less detector head
FST-2 GAMEWELL-FCI-FST-2 Datasheet
53Kb / 2P
   Duct Housing, 4-wire, less detector head
More results


Podobny opis - FSTYC9055R4

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Intersil Corporation
FSTJ9055D INTERSIL-FSTJ9055D Datasheet
72Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
June 2000
FSYE913A0D INTERSIL-FSYE913A0D Datasheet
73Kb / 9P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
February 2000
FSYE923A0D INTERSIL-FSYE923A0D Datasheet
70Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
June 2000
FSYC9160D INTERSIL-FSYC9160D Datasheet
61Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
July 1998
FSYA9150D INTERSIL-FSYA9150D Datasheet
56Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
October 1998
FSYC9055D INTERSIL-FSYC9055D Datasheet
51Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
July 1999
FSJ163D INTERSIL-FSJ163D Datasheet
56Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
June 1999
FSYC055D INTERSIL-FSYC055D Datasheet
49Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
July 1998
FSYE430D INTERSIL-FSYE430D Datasheet
58Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
June 1999
FSYA450D INTERSIL-FSYA450D Datasheet
56Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
March 1999
More results




O Intersil Corporation


Intersil Corporation była amerykańską firmą półprzewodników, która specjalizowała się w projektowaniu i produkcji wysokowydajnych obwodów zintegrowanych analogowych i mieszanych.
Firma została założona w 1967 r. I była znana ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie zarządzania energią, konwersją danych i technologii częstotliwości radiowej (RF).
Produkty Intersil były używane w szerokiej gamie zastosowań, takich jak elektronika konsumpcyjna, przemysł, telekomunikacja oraz lotnica i obrona.
W 2016 r. Intersil został przejęty przez Renesas Electronics Corporation, japońską firmę półprzewodników.
Marka i technologia Intersil są nadal opracowywane i sprzedawane w ramach portfela produktów Renesas.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com