HGTP3N60B3D Arkusz danych(PDF) - Intersil Corporation

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

HGTP3N60B3D Arkusz danych (PDF) - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet PDF - Intersil Corporation


Numer części	HGTP3N60B3D

Pobierz	HGTP3N60B3D Pobierz

Rozmiar pliku	154.31 Kbytes

Page	7 Pages

Producent	INTERSIL [Intersil Corporation]

Strona internetowa	http://www.intersil.com/cda/home

Logo

Szczegółowy opis

7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

HGTP3N60B3D Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Pobierz Arkusz danych

HGTP3N60B3D Datasheet PDF - Intersil Corporation


Numer części	HGTP3N60B3D

Pobierz	HGTP3N60B3D Click to download

Rozmiar pliku	154.31 Kbytes

Page	7 Pages

Producent	INTERSIL [Intersil Corporation]

Strona internetowa	http://www.intersil.com/cda/home

Logo

Szczegółowy opis	7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

HGTP3N60B3D Arkusz danych (HTML) - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 1Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 2Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 3Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 4Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 5Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 6Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Datasheet HTML 7Page - Intersil Corporation

HGTP3N60B3D Szczegóły Produktu

The HGTP3N60B3D and HGT1S3N60B3DS are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower onstate voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRD460. The IGBT used is TA49192.

Features
• 7A, 600V TC = 25°C
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 115ns at TJ = 125°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode
• Related Literature
• TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
- Components to PC Boards

Podobny numer części - HGTP3N60B3D

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Intersil Corporation	HGTP3N60B3	141Kb / 7P	7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs January 2000

Podobny opis - HGTP3N60B3D

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Harris Corporation	HGTG12N60C3D	102Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGTG20N60B3D	179Kb / 7P	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGTG20N60C3D	123Kb / 8P	45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	HGTG12N60C3D	98Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG20N60B3D	135Kb / 6P	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG30N60B3D	109Kb / 7P	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTG12N60C3D	124Kb / 8P	24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
Fairchild Semiconductor	HGTG30N60B3D	228Kb / 8P	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Harris Corporation	HGTP3N60C3D	394Kb / 11P	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Harris Corporation	HGTG30N60C3D	131Kb / 8P	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

O Intersil Corporation

Intersil Corporation była amerykańską firmą półprzewodników, która specjalizowała się w projektowaniu i produkcji wysokowydajnych obwodów zintegrowanych analogowych i mieszanych.
Firma została założona w 1967 r. I była znana ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie zarządzania energią, konwersją danych i technologii częstotliwości radiowej (RF).
Produkty Intersil były używane w szerokiej gamie zastosowań, takich jak elektronika konsumpcyjna, przemysł, telekomunikacja oraz lotnica i obrona.
W 2016 r. Intersil został przejęty przez Renesas Electronics Corporation, japońską firmę półprzewodników.
Marka i technologia Intersil są nadal opracowywane i sprzedawane w ramach portfela produktów Renesas.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com