Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

IRF130 Arkusz danych (PDF) - Intersil Corporation

IRF130 Datasheet PDF - Intersil Corporation
Numer części IRF130
Pobierz  IRF130 Pobierz

Rozmiar pliku   56.56 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF130 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
IRF130 Datasheet PDF - Intersil Corporation

Numer części IRF130
Pobierz  IRF130 Click to download

Rozmiar pliku   56.56 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF130 Arkusz danych (HTML) - Intersil Corporation

IRF130 Datasheet HTML 1Page - Intersil Corporation IRF130 Datasheet HTML 2Page - Intersil Corporation IRF130 Datasheet HTML 3Page - Intersil Corporation IRF130 Datasheet HTML 4Page - Intersil Corporation IRF130 Datasheet HTML 5Page - Intersil Corporation IRF130 Datasheet HTML 6Page - Intersil Corporation IRF130 Datasheet HTML 7Page - Intersil Corporation

IRF130 Szczegóły Produktu

14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFET

This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.
Formerly developmental type TA17411.

Features
• 14A, 100V
• rDS(ON) = 0.160Ω
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
   - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”




Podobny numer części - IRF130

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Samsung semiconductor
IRF130 SAMSUNG-IRF130 Datasheet
211Kb / 5P
   N-CHANNEL POWER MOSFETS
logo
Seme LAB
IRF130 SEME-LAB-IRF130 Datasheet
22Kb / 2P
   N-CHANNEL POWER MOSFET
logo
Fairchild Semiconductor
IRF130 FAIRCHILD-IRF130 Datasheet
180Kb / 6P
   N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
logo
International Rectifier
IRF130 IRF-IRF130 Datasheet
147Kb / 7P
   TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF130 NJSEMI-IRF130 Datasheet
106Kb / 3P
   REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS
More results


Podobny opis - IRF130

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF530 NJSEMI-IRF530 Datasheet
153Kb / 3P
   14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Intersil Corporation
FRM130D INTERSIL-FRM130D Datasheet
47Kb / 6P
   14A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs
June 1998
logo
Unisonic Technologies
UF9530 UTC-UF9530 Datasheet
150Kb / 6P
   -14A, -100V P-CHANNEL POWER MOSFET
logo
Intersil Corporation
IRFP450 INTERSIL-IRFP450 Datasheet
55Kb / 7P
   14A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF646 INTERSIL-IRF646 Datasheet
60Kb / 7P
   14A, 275V, 0.280 Ohm, N-Channel Power MOSFET
RFW2N06RLE INTERSIL-RFW2N06RLE Datasheet
41Kb / 5P
   2A, 60V, 0.160 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
BUZ71 INTERSIL-BUZ71 Datasheet
48Kb / 6P
   14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFET
June 1999
RFP14N06 INTERSIL-RFP14N06 Datasheet
75Kb / 8P
   14A, 60V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFET
logo
MagnaChip Semiconductor...
MDP14N25C MGCHIP-MDP14N25C Datasheet
846Kb / 6P
   N-Channel MOSFET 250V, 14A, 0.28(ohm)
MDF13N65B MGCHIP-MDF13N65B Datasheet
835Kb / 6P
   N-Channel MOSFET 650V, 14A, 0.46(ohm)
More results




O Intersil Corporation


Intersil Corporation była amerykańską firmą półprzewodników, która specjalizowała się w projektowaniu i produkcji wysokowydajnych obwodów zintegrowanych analogowych i mieszanych.
Firma została założona w 1967 r. I była znana ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie zarządzania energią, konwersją danych i technologii częstotliwości radiowej (RF).
Produkty Intersil były używane w szerokiej gamie zastosowań, takich jak elektronika konsumpcyjna, przemysł, telekomunikacja oraz lotnica i obrona.
W 2016 r. Intersil został przejęty przez Renesas Electronics Corporation, japońską firmę półprzewodników.
Marka i technologia Intersil są nadal opracowywane i sprzedawane w ramach portfela produktów Renesas.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com