Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

IRF122 Arkusz danych (PDF) - Intersil Corporation

IRF122 Datasheet PDF - Intersil Corporation
Numer części IRF122
Pobierz  IRF122 Pobierz

Rozmiar pliku   68.22 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis 8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs

IRF122 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
IRF122 Datasheet PDF - Intersil Corporation

Numer części IRF122
Pobierz  IRF122 Click to download

Rozmiar pliku   68.22 Kbytes
Page   7 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis 8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs

IRF122 Arkusz danych (HTML) - Intersil Corporation

IRF122 Datasheet HTML 1Page - Intersil Corporation IRF122 Datasheet HTML 2Page - Intersil Corporation IRF122 Datasheet HTML 3Page - Intersil Corporation IRF122 Datasheet HTML 4Page - Intersil Corporation IRF122 Datasheet HTML 5Page - Intersil Corporation IRF122 Datasheet HTML 6Page - Intersil Corporation IRF122 Datasheet HTML 7Page - Intersil Corporation

IRF122 Szczegóły Produktu

Description
These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features
• 8.0A and 9.2A, 80V and 100V
• rDS(ON) = 0.27Ω and 0.36Ω
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Majority Carrier Device
• Related Literature
    - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”




Podobny numer części - IRF122

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Samsung semiconductor
IRF122 SAMSUNG-IRF122 Datasheet
213Kb / 5P
   N-CHANNEL POWER MOSFETS
logo
Fairchild Semiconductor
IRF122 FAIRCHILD-IRF122 Datasheet
166Kb / 5P
   N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF122 NJSEMI-IRF122 Datasheet
798Kb / 3P
   IRF120-123/IRF520-523 MTP10N08/10N10 N-Channel Power MOSFETs
IRF122 NJSEMI-IRF122 Datasheet
798Kb / 3P
   N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
IRF122 NJSEMI-IRF122 Datasheet
798Kb / 3P
   N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
More results


Podobny opis - IRF122

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
New Jersey Semi-Conduct...
RFP2N08 NJSEMI-RFP2N08 Datasheet
93Kb / 2P
   2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Intersil Corporation
RFM18N08 INTERSIL-RFM18N08 Datasheet
38Kb / 5P
   18A, 80V and 100V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFM12N08 INTERSIL-RFM12N08 Datasheet
43Kb / 5P
   12A, 80V and 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFL1N08 INTERSIL-RFL1N08 Datasheet
30Kb / 4P
   1A, 80V and 100V, 1.200 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs
RFP2N08 INTERSIL-RFP2N08 Datasheet
46Kb / 4P
   2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF540 NJSEMI-IRF540 Datasheet
984Kb / 3P
   25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Harris Corporation
IRFD121 HARRIS-IRFD121 Datasheet
360Kb / 6P
   1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF510 HARRIS-IRF510 Datasheet
71Kb / 7P
   4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
Intersil Corporation
RFP12P08 INTERSIL-RFP12P08 Datasheet
37Kb / 5P
   12A, 80V and 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFP6P08 INTERSIL-RFP6P08 Datasheet
310Kb / 5P
   -6A, -80V and -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
More results




O Intersil Corporation


Intersil Corporation była amerykańską firmą półprzewodników, która specjalizowała się w projektowaniu i produkcji wysokowydajnych obwodów zintegrowanych analogowych i mieszanych.
Firma została założona w 1967 r. I była znana ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie zarządzania energią, konwersją danych i technologii częstotliwości radiowej (RF).
Produkty Intersil były używane w szerokiej gamie zastosowań, takich jak elektronika konsumpcyjna, przemysł, telekomunikacja oraz lotnica i obrona.
W 2016 r. Intersil został przejęty przez Renesas Electronics Corporation, japońską firmę półprzewodników.
Marka i technologia Intersil są nadal opracowywane i sprzedawane w ramach portfela produktów Renesas.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com