Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

MCTV35P60F1D Arkusz danych (PDF) - Intersil Corporation

MCTV35P60F1D Datasheet PDF - Intersil Corporation
Numer części MCTV35P60F1D
Pobierz  MCTV35P60F1D Pobierz
Rozmiar pliku   53.89 Kbytes
Page   5 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis 35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) with Anti-Parallel Diode

MCTV35P60F1D Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
MCTV35P60F1D Datasheet PDF - Intersil Corporation

Numer części MCTV35P60F1D
Pobierz  MCTV35P60F1D Click to download

Rozmiar pliku   53.89 Kbytes
Page   5 Pages
Producent  INTERSIL [Intersil Corporation]
Strona internetowa  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
Szczegółowy opis 35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) with Anti-Parallel Diode

MCTV35P60F1D Arkusz danych (HTML) - Intersil Corporation


MCTV35P60F1D Szczegóły Produktu

Description
The MCT is an MOS Controlled Thyristor designed for switching currents on and off by negative and positive pulsed control of an insulated MOS gate. It is designed for use in motor controls, inverters, line switches and other power switching applications. The MCT is especially suited for resonant (zero voltage or zero current switching) applications. The SCR like forward drop greatly reduces conduction power loss.
MCTs allow the control of high power circuits with very small amounts of input energy. They feature the high peak current capability common to SCR type thyristors, and operate at junction temperatures up to +150oC with active switching. This device features a discrete anti-parallel diode that shunts current around the MCT in the reverse direction without introducing carriers into the depletion region.

Features
• 35A, -600V
• VTM = -1.35V (Max) at I = 35A and +150°C
• 800A Surge Current Capability
• 800A/µs di/dt Capability
• MOS Insulated Gate Control
• 50A Gate Turn-Off Capability at +150°C
• Anti-Parallel Diode




Podobny numer części - MCTV35P60F1D

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Intersil Corporation
MCTV65P100F1 INTERSIL-MCTV65P100F1 Datasheet
46Kb / 5P
65A, 1000V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
MCTV75P60E1 INTERSIL-MCTV75P60E1 Datasheet
50Kb / 5P
75A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
logo
Texas Instruments
MCTV8376ZS-Q1 TI2-MCTV8376ZS-Q1 Datasheet
2Mb / 77P
MCT8376Z-Q1 Sensored Trapezoidal Integrated FET BLDC Motor Driver
DECEMBER 2025
More results


Podobny opis - MCTV35P60F1D

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Fairchild Semiconductor
HGTG10N120BND FAIRCHILD-HGTG10N120BND Datasheet
110Kb / 8P
35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
logo
Intersil Corporation
HGTG10N120BND INTERSIL-HGTG10N120BND Datasheet
82Kb / 7P
35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
January 2000
HGTG15N120C3D INTERSIL-HGTG15N120C3D Datasheet
101Kb / 9P
35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
May 1997
MCT3A65P100F2 INTERSIL-MCT3A65P100F2 Datasheet
67Kb / 8P
65A, 1000V, P-Type MOS-Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
MCTG35P60F1 INTERSIL-MCTG35P60F1 Datasheet
50Kb / 5P
35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
MCTV65P100F1 INTERSIL-MCTV65P100F1 Datasheet
46Kb / 5P
65A, 1000V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
MCTV75P60E1 INTERSIL-MCTV75P60E1 Datasheet
50Kb / 5P
75A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
April 1999
logo
IXYS Corporation
MMIX1H60N150V1 IXYS-MMIX1H60N150V1 Datasheet
207Kb / 5P
1500V MOS Gated Thyristor w/ Anti-Parallel Diode
IXHX40N150V1HV IXYS-IXHX40N150V1HV Datasheet
180Kb / 4P
1500V MOS Gated Thyristor w/ Anti-Parallel Diode
logo
Nell Semiconductor Co.,...
NK100KQ NELLSEMI-NK100KQ Datasheet
825Kb / 5P
Anti-parallel Thyristor Module
More results




O Intersil Corporation


Intersil Corporation była amerykańską firmą półprzewodników, która specjalizowała się w projektowaniu i produkcji wysokowydajnych obwodów zintegrowanych analogowych i mieszanych.
Firma została założona w 1967 r. I była znana ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie zarządzania energią, konwersją danych i technologii częstotliwości radiowej (RF).
Produkty Intersil były używane w szerokiej gamie zastosowań, takich jak elektronika konsumpcyjna, przemysł, telekomunikacja oraz lotnica i obrona.
W 2016 r. Intersil został przejęty przez Renesas Electronics Corporation, japońską firmę półprzewodników.
Marka i technologia Intersil są nadal opracowywane i sprzedawane w ramach portfela produktów Renesas.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com