Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Preview PDF HTML

IRG4BC20UDS Arkusz danych (PDF) - International Rectifier
IRG4BC20UDS Datasheet PDF - International Rectifier
Numer części IRG4BC20UDS
Pobierz  IRG4BC20UDS Pobierz
Rozmiar pliku   235.04 Kbytes
Page   11 Pages
Producent  IRF [International Rectifier]
Strona internetowa  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Szczegółowy opis INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

IRG4BC20UDS Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
IRG4BC20UDS Datasheet PDF - International Rectifier

Numer części IRG4BC20UDS
Pobierz  IRG4BC20UDS Click to download

Rozmiar pliku   235.04 Kbytes
Page   11 Pages
Producent  IRF [International Rectifier]
Strona internetowa  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Szczegółowy opis INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

IRG4BC20UDS Arkusz danych (HTML) - International Rectifier


IRG4BC20UDS Szczegóły Produktu

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE



Features

• UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant
mode

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard D2Pak package

Benefits
• Generation 4 IGBTs offers highest efficiencies available
• Optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs




Podobny numer części - IRG4BC20UDS

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
International Rectifier		 IRG4BC20UDSRP IRF-IRG4BC20UDSRP Datasheet
256Kb / 13P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20UDSTRRP IRF-IRG4BC20UDSTRRP Datasheet
256Kb / 13P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
More results


Podobny opis - IRG4BC20UDS

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
International Rectifier		 IRG4BC10UD IRF-IRG4BC10UD Datasheet
184Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC15UD-S IRF-IRG4BC15UD-S Datasheet
210Kb / 12P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC20MD IRF-IRG4BC20MD Datasheet
251Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20MDS IRF-IRG4BC20MDS Datasheet
200Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20U IRF-IRG4BC20U Datasheet
167Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20UD IRF-IRG4BC20UD Datasheet
236Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20W IRF-IRG4BC20W Datasheet
130Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20WS IRF-IRG4BC20WS Datasheet
152Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRGBC20UD2 IRF-IRGBC20UD2 Datasheet
427Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4PC20UPBF IRF-IRG4PC20UPBF Datasheet
693Kb / 8P		 UltraFast Speed 1GBT (VCES=600V , VCE(on)typ.=1.85V , @VGE=15V , Ic=6.5A )
More results




O International Rectifier

Międzynarodowy prostownik (IR) był amerykańską firmą specjalizującą się w projektowaniu i produkcji półprzewodników zarządzania energią i kontroli energii.
Firma została założona w 1947 roku i miała siedzibę w El Segundo w Kalifornii.
IR dostarczyło szeroką gamę produktów, w tym ICS zarządzania energią, mocy mocy, IGBT i inne produkty sterujące energią.
Produkty firmy były używane w różnych aplikacjach, takich jak obliczenia, telekomunikacja i automatyzacja przemysłowa.
IR był znany ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie zarządzania energią i technologią kontroli oraz zdolności do dostarczania wysokiej jakości i niezawodnych produktów dla swoich klientów.
W 2014 r. IR został przejęty przez Infineon Technologies, wiodący dostawca produktów zarządzania energią i kontrolą oraz inne rozwiązania półprzewodników.
Międzynarodowa marka prostowników nie jest już używana, ale jej technologia i produkty są nadal częścią portfela Infineon.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com