Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

PTF080451E Arkusz danych (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF080451E Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
Numer części PTF080451E
Pobierz  PTF080451E Pobierz
Rozmiar pliku   158.52 Kbytes
Page   9 Pages
Producent  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Strona internetowa  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Szczegółowy opis LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz

PTF080451E Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
PTF080451E Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

Numer części PTF080451E
Pobierz  PTF080451E Click to download

Rozmiar pliku   158.52 Kbytes
Page   9 Pages
Producent  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Strona internetowa  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Szczegółowy opis LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz

PTF080451E Arkusz danych (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF080451E Szczegóły Produktu

Description

The PTF080451 is a 45 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA  applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.



Features

• Broadband internal matching

• Typical EDGE performance

- Average output power = 22.5 W

- Gain = 18 dB

- Efficiency = 40%

• Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 60 W

- Gain = 17 dB

- Efficiency = 60%

• Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)

• Excellent thermal stability

• Low HCI drift

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 45 W (CW) output power



 




Podobny numer części - PTF080451E

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Infineon Technologies A...
PTF080101 INFINEON-PTF080101 Datasheet
64Kb / 4P
LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
PTF080101M INFINEON-PTF080101M Datasheet
258Kb / 8P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 ??960 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
PTF080101S INFINEON-PTF080101S Datasheet
64Kb / 4P
LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
PTF080101S INFINEON-PTF080101S Datasheet
172Kb / 9P
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz
2004-10-05
PTF080601 INFINEON-PTF080601 Datasheet
293Kb / 6P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz
2003-12-05
More results


Podobny opis - PTF080451E

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Infineon Technologies A...
PTF080601 INFINEON-PTF080601 Datasheet
293Kb / 6P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz
2003-12-05
PTF080901 INFINEON-PTF080901 Datasheet
205Kb / 10P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
2004-04-05
PTF210451 INFINEON-PTF210451 Datasheet
406Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
logo
Tyco Electronics
MAPLST0810-030CF MACOM-MAPLST0810-030CF Datasheet
137Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V
MAPLST0810-045CF MACOM-MAPLST0810-045CF Datasheet
136Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
MAPLST0810-090CF MACOM-MAPLST0810-090CF Datasheet
138Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
MAPLST0810-030CF-05-2004 MACOM-MAPLST0810-030CF-05-2004 Datasheet
137Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V
MAPLST0810-045CF MACOM-MAPLST0810-045CF Datasheet
136Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
MAPLST0810-090CF-05-2004 MACOM-MAPLST0810-090CF-05-2004 Datasheet
138Kb / 4P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
logo
Infineon Technologies A...
PTF080101M INFINEON-PTF080101M Datasheet
258Kb / 8P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 ??960 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
More results




O Infineon Technologies AG


Infineon Technologies jest wiodącym globalnym producentem półprzewodników, który specjalizuje się w zapewnianiu rozwiązań zarządzania energią, bezpieczeństwem i kontrolą dla różnych branż, takich jak systemy motoryzacyjne, przemysłowe i komunikacyjne.
Firma została założona w 1999 roku i ma siedzibę w Neubiberg w Niemczech.
Infineon oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, półprzewodniki mocy, czujniki i inne zintegrowane obwody.
Firma ma silną obecność na rynku globalnym, z operacjami i obiektami w różnych krajach na całym świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com