Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

PTF211301 Arkusz danych (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF211301 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
Numer części PTF211301
Pobierz  PTF211301 Pobierz
Rozmiar pliku   449.03 Kbytes
Page   9 Pages
Producent  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Strona internetowa  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Szczegółowy opis LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz

PTF211301 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
PTF211301 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

Numer części PTF211301
Pobierz  PTF211301 Click to download

Rozmiar pliku   449.03 Kbytes
Page   9 Pages
Producent  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Strona internetowa  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Szczegółowy opis LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz

PTF211301 Arkusz danych (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF211301 Szczegóły Produktu

Description
The PTF211301 is a 130–W, internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications. It is characaterized for single– and two–carrier WCDMA operation from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical two–carrier WCDMA performance at
   2140 MHz
   - Average output power = 28 W
   - Linear Gain = 13.5 dB
   - Efficiency = 25%
   - Intermodulation distortion = –37 dBc
   - Adjacent channel power = –42 dBc
• Typical CW performance, 2170 MHz, 28 V
   - Output power at P–1dB = 148 W
   - Efficiency = 50%
• Integrated ESD protection: Human Body
   Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability, low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
   130 W (CW) output power




Podobny numer części - PTF211301

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Infineon Technologies A...
PTF211802 INFINEON-PTF211802 Datasheet
169Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
PTF211802A INFINEON-PTF211802A Datasheet
169Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
PTF211802E INFINEON-PTF211802E Datasheet
169Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
More results


Podobny opis - PTF211301

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Infineon Technologies A...
PTF210301 INFINEON-PTF210301 Datasheet
337Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF210451 INFINEON-PTF210451 Datasheet
406Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF210901 INFINEON-PTF210901 Datasheet
266Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
2004-01-16
PTF211802 INFINEON-PTF211802 Datasheet
169Kb / 8P
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
2004-02-13
logo
Tyco Electronics
MAPLST2122-030CF MACOM-MAPLST2122-030CF Datasheet
162Kb / 5P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 30W, 28V
MAPLST2122-060CF MACOM-MAPLST2122-060CF Datasheet
172Kb / 5P
RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 60W, 28V
logo
Infineon Technologies A...
PTF210101M INFINEON-PTF210101M Datasheet
276Kb / 8P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
PTFB213004F INFINEON-PTFB213004F Datasheet
674Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110-2170 MHz
Rev. 05.2, 2010-12-09
PTFB213004F INFINEON-PTFB213004F_16 Datasheet
740Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 05.3, 2016-06-15
logo
Cree, Inc
PTFB213004F CREE-PTFB213004F Datasheet
528Kb / 16P
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz
More results




O Infineon Technologies AG


Infineon Technologies jest wiodącym globalnym producentem półprzewodników, który specjalizuje się w zapewnianiu rozwiązań zarządzania energią, bezpieczeństwem i kontrolą dla różnych branż, takich jak systemy motoryzacyjne, przemysłowe i komunikacyjne.
Firma została założona w 1999 roku i ma siedzibę w Neubiberg w Niemczech.
Infineon oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, półprzewodniki mocy, czujniki i inne zintegrowane obwody.
Firma ma silną obecność na rynku globalnym, z operacjami i obiektami w różnych krajach na całym świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com