Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

HY62CT08081E Arkusz danych (PDF) - Hynix Semiconductor

HY62CT08081E Datasheet PDF - Hynix Semiconductor
Numer części HY62CT08081E
Pobierz  HY62CT08081E Pobierz
Rozmiar pliku   186.36 Kbytes
Page   12 Pages
Producent  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Szczegółowy opis 32Kx8bit CMOS SRAM

HY62CT08081E Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
HY62CT08081E Datasheet PDF - Hynix Semiconductor

Numer części HY62CT08081E
Pobierz  HY62CT08081E Click to download

Rozmiar pliku   186.36 Kbytes
Page   12 Pages
Producent  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Strona internetowa  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Szczegółowy opis 32Kx8bit CMOS SRAM

HY62CT08081E Arkusz danych (HTML) - Hynix Semiconductor


HY62CT08081E Szczegóły Produktu

DESCRIPTION
The HY62CT08081E is a high-speed, low power and 32,786 X 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hynixs high performance CMOS process technology. It is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application. This device has a data retention mode that guarantees data to remain valid at the minimum power supply voltage of 2.0 volt.

FEATURES
• Fully static operation and Tri-state output
• TTL compatible inputs and outputs
• Low power consumption
• Battery backup
    - 2.0V(min.) data retention
• Standard pin configuration
    - 28 pin 600mil PDIP
    - 28 pin 330mil SOP
    - 28 pin 8x13.4 mm TSOP-I (Standard)




Podobny numer części - HY62CT08081E

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Hynix Semiconductor
HY62C256 HYNIX-HY62C256 Datasheet
376Kb / 11P
32K x 8-BIT CMOS SRAM
HY62C256-10 HYNIX-HY62C256-10 Datasheet
376Kb / 11P
32K x 8-BIT CMOS SRAM
HY62C256-12 HYNIX-HY62C256-12 Datasheet
376Kb / 11P
32K x 8-BIT CMOS SRAM
HY62C256-15 HYNIX-HY62C256-15 Datasheet
376Kb / 11P
32K x 8-BIT CMOS SRAM
HY62C256-85 HYNIX-HY62C256-85 Datasheet
376Kb / 11P
32K x 8-BIT CMOS SRAM
More results


Podobny opis - HY62CT08081E

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Samsung semiconductor
KM6164002 SAMSUNG-KM6164002 Datasheet
167Kb / 9P
CMOS SRAM
logo
Hynix Semiconductor
HY62256A HYNIX-HY62256A Datasheet
820Kb / 9P
32Kx8bit CMOS SRAM
HY628100A HYNIX-HY628100A Datasheet
128Kb / 9P
128Kx8bit CMOS SRAM
logo
List of Unclassifed Man...
STK11C68-M ETC-STK11C68-M Datasheet
59Kb / 10P
CMOS NV SRAM
logo
Samsung semiconductor
K6X8008T2B SAMSUNG-K6X8008T2B Datasheet
129Kb / 9P
CMOS SRAM
logo
Hynix Semiconductor
HY62WT08081E HYNIX-HY62WT08081E Datasheet
205Kb / 13P
HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM
HY62KT08081E HYNIX-HY62KT08081E Datasheet
192Kb / 12P
32Kx8bit CMOS SRAM
logo
Samsung semiconductor
K6R4008V1B SAMSUNG-K6R4008V1B Datasheet
214Kb / 10P
CMOS SRAM
logo
Hynix Semiconductor
HY62U8400A HYNIX-HY62U8400A Datasheet
180Kb / 11P
512Kx8bit CMOS SRAM
logo
Samsung semiconductor
K6T4016C3C SAMSUNG-K6T4016C3C Datasheet
148Kb / 9P
CMOS SRAM
More results




O Hynix Semiconductor


Hynix Semiconductor to południowokoreańska firma specjalizująca się w projektowaniu i produkcji półprzewodników pamięci.
Firma została założona w 1983 roku i ma siedzibę w Icheon w Korei Południowej.
Hynix jest jednym z wiodących na świecie producentów DRAM (dynamiczna pamięć o losowym dostępie) i pamięci NAND Flash, które są używane w różnych aplikacjach, takich jak systemy komputerowe, urządzenia mobilne i napędowe solidne.
Hynix jest znany ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie technologii półprzewodników i zdolności do dostarczania wysokiej jakości i wysokiej wydajności produktów pamięci dla swoich klientów.
Firma ma działalność i obiekty w różnych krajach na całym świecie i ściśle współpracuje z klientami, aby zapewnić niestandardowe rozwiązania pamięci, które spełniają ich konkretne wymagania i potrzeby.
Oprócz produktów pamięci, Hynix zapewnia również szereg produktów i rozwiązań dla rynków motoryzacyjnych i centralnych danych, takich jak produkty System-on-a-Chip (SOC) i pamięć o dużej przepustowości (HBM).

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com