UT3N06L-TN3-R pdf, UT3N06L-TN3-R Szczegółowy opis, UT3N06L-TN3-R Arkusz danych, UT3N06L-TN3-R view ::: ALLDATASHEET :::

Numer części	UT3N06L-TN3-R

Szczegółowy opis	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

Rozmiar pliku	674.94 Kbytes

Html View	Update soon

Producent	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

Strona internetowa	http://www.doingter.cn/

Logo

Podobny numer części - UT3N06L-TN3-R

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Unisonic Technologies	UT3N06L-TN3-R	163Kb / 3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Unisonic Technologies	UT3N06L-TN3-R	241Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	AM20N06-90D	800Kb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM20N10-115D	4Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM40N20-180P	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM50N03-12D	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM50N06-15D	2Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM70N04-06D	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM70N15-40P	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM90N04-03P	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM4492N	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM4910N	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology