VS4449AS pdf, VS4449AS Szczegółowy opis, VS4449AS Arkusz danych, VS4449AS view ::: ALLDATASHEET :::

Numer części	VS4449AS

Szczegółowy opis	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

Rozmiar pliku	1085.75 Kbytes

Html View	1 2 3 4

Producent	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

Strona internetowa	http://www.doingter.cn/

Logo

Podobny numer części - VS4449AS

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	VS4407AS	1Mb / 5P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	VS4407BS	1Mb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
New Jersey Semi-Conduct...	VS448X	181Kb / 2P	2 Amp Fast Recovery Time Epoxy Bridge Rectifiers

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	AO4771	1Mb / 6P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AOI409	1Mb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AP3801GM-HF	935Kb / 5P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AP9561AGM-HF	537Kb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	CEM4311	1Mb / 6P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	CJQ4435	1Mb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	STJ009	1Mb / 5P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	MTB040P04Q8	1Mb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	PE9435	1Mb / 5P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	QM3005S	1Mb / 5P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology