MG600Q2YMS3 pdf, MG600Q2YMS3 Szczegółowy opis, MG600Q2YMS3 Arkusz danych, MG600Q2YMS3 view ::: ALLDATASHEET :::

Numer części	MG600Q2YMS3

Szczegółowy opis	High-Power Module Silicon Carbide N-Channel MOSFET

Rozmiar pliku	574.57 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

Producent	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

Strona internetowa	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

Logo

Podobny numer części - MG600Q2YMS3

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Toshiba Semiconductor	MG600Q2YS60A	319Kb / 8P	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
Mitsubishi Electric Sem...	MG600Q2YS60A	139Kb / 9P	High Power Switching Applications Motor Control Applications
Powerex Power Semicondu...	MG600Q2YS60A	418Kb / 6P	Compact IGBT

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Microsemi Corporation	MSC080SMA120J	1Mb / 10P	Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
Microchip Technology	MSC180SMA120B	6Mb / 15P	Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET 2021
Microchip Technology	MSC180SMA120S	6Mb / 16P	Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET 2021
Toshiba Semiconductor	MG400V2YMS3	560Kb / 10P	High-Power Module Silicon Carbide N-Channel MOSFET 2022-02-02 Rev.3.0
Toshiba Semiconductor	MG800FXF2YMS3	589Kb / 11P	High-Power Module Silicon Carbide N-Channel MOSFET 2022-01-14 Rev.3.0
Microsemi Corporation	APT40SM120B	381Kb / 6P	Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Rev C 09/2016
DinTek Semiconductor Co...	DTN19N120SC3	2Mb / 9P	1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET
	DTN40N120SC4	1Mb / 9P	1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET
	DTN58N120SC3	2Mb / 9P	1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET
	DTN58N120SC4	3Mb / 9P	1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET