30J101 pdf, 30J101 Szczegółowy opis, 30J101 Arkusz danych, 30J101 view ::: ALLDATASHEET :::

Numer części	30J101

Szczegółowy opis	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

Rozmiar pliku	193.83 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6

Producent	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

Strona internetowa	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

Logo

Podobny numer części - 30J101

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Ohmite Mfg. Co.	30J100	236Kb / 3P	High Energy Wirewound

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Toshiba Semiconductor	GT10J303	473Kb / 7P	SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
	GT10Q101	179Kb / 6P	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
	GT15J321	195Kb / 7P	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
	GT15J331	222Kb / 7P	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
	GT15Q102	189Kb / 6P	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
	GT15Q301	493Kb / 7P	SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
	GT20J301	491Kb / 7P	SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
	GT20J321	197Kb / 7P	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
	GT25Q102	186Kb / 6P	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
	GT50J325	198Kb / 7P	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications