PTF080101S pdf, PTF080101S Szczegółowy opis, PTF080101S Arkusz danych, PTF080101S view ::: ALLDATASHEET :::

Numer części	PTF080101S

Szczegółowy opis	LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ

Rozmiar pliku	64.14 Kbytes

Html View	1 2 3 4

Producent	INFINEON [Infineon Technologies AG]

Strona internetowa	http://www.infineon.com

Logo

Podobny numer części - PTF080101S

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Infineon Technologies A...	PTF080101S	172Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz 2004-10-05

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Ericsson	PTF10100	163Kb / 6P	165 Watts, 860-900 MHz LDMOS Field Effect Transistor
Infineon Technologies A...	PTF080601	293Kb / 6P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz 2003-12-05
	PTFC270101M	409Kb / 21P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Rev. 04, 2015-04-01
	PXAC243502FV	1Mb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Rev. 03.1, 2015-04-13
	PTFB183408SV	248Kb / 15P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Rev. 03, 2014-03-07
	PTFB201402FC	841Kb / 14P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Rev. 03.1, 2016-06-14
Renesas Technology Corp	NEM090303M-28	295Kb / 12P	LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2003
	NEM090603M-28	302Kb / 11P	LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2006
	NEM090853P-28	283Kb / 10P	LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2004
	NEM091803S-28	271Kb / 9P	LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2004