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MJD50TF Arkusz danych(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Numer części MJD50TF
Szczegółowy opis  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
PDF  5 Pages
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Producent  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Strona internetowa  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

MJD50TF Arkusz danych(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
NO：201506A
2/5
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
NPN 高压功率开关晶体管
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
Note
：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
Parameter
参数
Symbol
符号
Value(min)
最小值
Value(max)
最大值
Unit
单位
热阻
Thermal Resistance Junction Case DPAK
Rth(j-c)
-
8.33
/W
℃
Parameter
参数
Symbol
符号
Value
数字
Unit
单位
集电极
—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（VBE=0）
VCES
500
V
集电极
—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0）
VCEO
400
V
发射极
—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
1
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
ICP
2
A
最大基极直流电流
Base Current（DC）
IB
0.6
A
最大基极脉冲电流
Base Current（pulse）
IBP
1.2
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation DPAK
PC
15
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
Parameter
参数
Tests conditions
测试条件
Value(min)
最小值
Value(typ)
典型值
Value(max)
最大值
Unit
单位
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
400
-
-
V
V(BR)CBO
IC=1mA,IE=0
500
-
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
5
-
-
V
ICBO
VCB=500V, IE=0
-
-
100
μA
ICEO
VCE=300V,IB=0
-
-
100
μA
IEBO
VEB=5V, IC=0
-
-
10
μA
Hfe(1)
VCE =10V, IC=300mA
30
150
Hfe(2)
VCE =10V, IC=1A
10
-
-
VCE(sat)
IC=1A, IB=0.2A
-
-
1.0
V
VBE(sat)
IC=1A, IB=0.2A
-
-
1.5
V



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