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3LP04MH

No. A0551-3/4

PD -- Ta

Ambient Temperature, Ta --

°C

VGS -- Qg

SW Time -- ID

Ciss, Coss, Crss -- VDS

yfs -- ID

IS -- VSD

Drain Current, ID -- mA

Diode Forward Voltage, VSD -- V

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

Total Gate Charge, Qg -- nC

A S O

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

--4.0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

IT11706

--30

--10

--15

--20

--25

--5

IT11705

--10

--100

1.0

100

IT11704

IT11703

IT11702

--1.0

100

--10

5 7

--100

7--1000

1000

--0.8

--1.0

--0.6

--1.2

--1.4

--0.2

--0.4

--1.0

--100

--10

--1000

Crss

Coss

Ciss

VDS= --10V

ID= --200mA

VDS= --10V

Ta=

--25

°C

100

1000

VGS=0V

f=1MHz

td(off)

td(on)

VDS= --15V

VGS= --4V

100

120

0.1

0.2

0.3

0.7

0.6

0.5

0.4

140

160

IT11708

IT11707

--0.1

--1.0

--10

--1.0

--0.01

--0.1

100ms

operation

a=25

°C)

IDP= --800mA

ID= --200mA

≤10µs

1ms

Mounted

ceramic

board

(900mm

0.8mm)

Operation in this

area is limited by RDS(on).

Ta=25

°C

Single pulse

Mounted on a ceramic board (900mm2!0.8mm)

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