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JCS13N50CT Arkusz danych(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Numer części JCS13N50CT
Szczegółowy opis  High frequency switching mode power supply
PDF  8 Pages
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Producent  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Strona internetowa  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS13N50CT Arkusz danych(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

  JCS13N50CT Datasheet HTML 1Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JCS13N50CT Datasheet HTML 2Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JCS13N50CT Datasheet HTML 3Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JCS13N50CT Datasheet HTML 4Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JCS13N50CT Datasheet HTML 5Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JCS13N50CT Datasheet HTML 6Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JCS13N50CT Datasheet HTML 7Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JCS13N50CT Datasheet HTML 8Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  
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background image
R
JCS13N50CT
版本：201410A
4/8
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最大值
Value
单
位
Unit
JCS13N50CT
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.72
℃
/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
℃
/W
项
目
Parameter
符
号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小
Min
典型
Typ
最大
Max
单位
Units
开关特性
Switching –Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
td(on)
VDD=250V,ID=15A,RG=25Ω
（
note 4，5）
-
90 180
ns
上升时间
Turn-On rise time
tr
-
160 270
ns
延迟时间
Turn-Off delay time
td(off)
-
150 260
ns
下降时间
Turn-Off Fall time
tf
-
60 140
ns
栅极电荷总量
Total Gate Charge
Qg
VDS =400V ,
ID=15A
VGS =10V（note 4，5）
-
37
50
nC
栅－源电荷
Gate-Source charge
Qgs
-
10.9
-
nC
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
Qgd
-
17.2
-
nC
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
IS
-
-
15
A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
ISM
-
-
60
A
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
VSD
VGS=0V, IS=15A
-
1.4
V
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr
VGS=0V, IS=15A
dIF/dt=100A/μs (note 4)
410
ns
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Qrr
4.5
μC
注
1：脉冲宽度由最高结温限制
注
2：L=9.0mH, IAS=15A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始
结温
TJ=25℃
注
3：ISD ≤15A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS,起始结
温
TJ=25℃
注
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
注
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=9.0mH, IAS=15A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃
3：ISD ≤15A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature



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