STM32F410RB datasheet(68/142 Pages) STMICROELECTRONICS

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Electrical characteristics

STM32F410x8/B

68/142

DocID028094 Rev 5

Table 29. Typical and maximum current consumption in Sleep mode - VDD = 1.7 V

Symbol

Parameter

Conditions

fHCLK

(MHz)

Voltage

scale

PLL

VCO

(MHz)(1)

Typ

Max(2)

Unit

TA=

25 °C

TA =

25 °C

TA =

85 °C

TA =

105 °C

TA =

125 °C

IDD

Supply

current in

Sleep

mode

All peripherals

enabled(3) (4),

External clock,

PLL ON, Flash

memory in

Deep power

down mode

100

200

7.7

7,9

8,8

9,2

10.0

168

6.2

6,4

7,1

7,5

8.3

128

4.3

4,5

5,0

5,3

6.1

100

3.4

3,6

4,0

4,4

5.2

100

2.0

2,1

2,4

2,7

3.5

160

1.8

1,9

2,3

2,6

3.4

All peripherals

enabled(3)(4),

HSI, PLL OFF,

Flash memory

in Deep power

down mode

off

1.1

1,2

1,5

1,9

2.7

off

0.3

0,4

0,7

1,0

1.8

All peripherals

enabled(3)(4),

External clock,

PLL ON, Flash

memory ON

100

200

8.1

8,4

9,3

9,7

10.5

168

6.6

6,8

7,5

7,9

8.7

128

4.7

4,8

5,4

5,7

6.5

100

3.8

3,9

4,4

4,7

5.5

100

2.3

2,4

2,7

3,1

3.9

160

2.1

2,2

2,6

2,9

3.7

All peripherals

enabled(3)(4),

HSI, PLL OFF,

Flash memory

off

1.4

1,5

1,8

2,2

3.0

off

0.5

0,6

1,0

1,3

2.0

STM32F410RB Arkusz danych(PDF) 68 Page - STMicroelectronics

STM32F410RB Arkusz danych(HTML) 68 Page - STMicroelectronics

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