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JCS18N50WH Arkusz danych(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Numer części JCS18N50WH
Szczegółowy opis  N- CHANNEL MOSFET
PDF  8 Pages
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Producent  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Strona internetowa  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS18N50WH Arkusz danych(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
JCS18N50WH
版本：201510B
4/8
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最大值
Value
单
位
Unit
JCS18N50WH
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.60
℃/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
40
℃/W
项
目
Parameter
符
号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小
Min
典型
Typ
最大
Max
单位
Units
开关特性 Switching –Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
td(on)
VDD=250V,ID=19A,RG=25Ω
（note 4，5）
-
53
130
ns
上升时间 Turn-On rise time
tr
-
169 350
ns
延迟时间 Turn-Off delay time
td(off)
-
97
200
ns
下降时间 Turn-Off Fall time
tf
-
85
195
ns
栅极电荷总量 Total Gate Charge
Qg
VDS =400V ,
ID=19A
VGS =10V（note 4，5）
-
50
60
nC
栅－源电荷 Gate-Source charge
Qgs
-
12.5
-
nC
栅－漏电荷 Gate-Drain charge
Qgd
-
22
-
nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
IS
-
-
19
A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
ISM
-
-
76
A
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
VSD
VGS=0V, IS=19A
-
1.4
V
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr
VGS=0V, IS=19A
dIF/dt=100A/μs (note 4)
465
ns
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Qrr
5.2
μC
注：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=5.0mH, IAS=19A, VDD=50V,
RG=25 Ω,起始结温
TJ=25℃
3：ISD ≤19A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=5.0mH, IAS=19A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3：ISD ≤19A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature



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