Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Skrót   2N60(2362) wyniki wyszukiwania.
Dokładny,
Podobny
 82N60(1) 22N60(2) 12N60(15) 2N60(23) L2N60(1) I2N60(7) F2N60(7) B2N60(6) D2N60(6) E2N60(6) 2N60A(1) 2N60B(1) 2N60D(1) 2N60E(1) 2N60F(1) 2N60G(1) 2N60H(1) 2N60I(1) 2N60K(2) 2N60L(2) 2N60M(1) 2N60N(1) 2N60P(1) 2N60S(1) 2N60T(1) 2N60Z(1)
Rozpoczynający
się
 2N60*(944) 2N60-*(20) 2N602*(54) 2N603*(118) 2N604*(100) 2N605*(137) 2N606*(10) 2N607*(103) 2N608*(18) 2N609*(26) 2N60A*(1) 2N60B*(1) 2N60D*(7) 2N60E*(3) 2N60F*(4) 2N60G*(70) 2N60H*(1) 2N60K*(62) 2N60L*(164) 2N60M*(6) 2N60N*(3) 2N60Z*(18)
Kończący się  *2N60(288) *02N60(35) *D2N60(24) *12N60(62) *F2N60(22) *U2N60(15) *B2N60(4) *I2N60(6) *P2N60(17) *S2N60(3) *32N60(4) *V2N60(2) *T2N60(5) *M2N60(4) *42N60(1) *R2N60(3) *W2N60(3) *L2N60(4) *22N60(9) *Q2N60(1) *72N60(2) *J2N60(2) *A2N60(1) *Y2N60(2) *X2N60(1) *E2N60(1) *K2N60(1) *82N60(1) *52N60(2)
Zawierający  *2N60*(1102) *2N60A*(3) *2N60C*(2) *2N60D*(2) *2N60G*(18) *2N60H*(9) *2N60K*(7) *2N60L*(18) *2N60S*(6) *2N60_*(6)
Producent


2N60 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "2N60" - wyników : 972 ( 1/49 Page)
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Unisonic Technologies
2N60 UTC-2N60 Datasheet
142Kb/8P
2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
logo
Estek Electronics Co. L...
2N60 ESTEK-2N60 Datasheet
573Kb/5P
N2 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET
logo
Unisonic Technologies
2N60 UTC-2N60 Datasheet
224Kb/6P
2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
2N60 UTC-2N60 Datasheet
245Kb/6P
2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
logo
Nell Semiconductor Co.,...
2N60 NELLSEMI-2N60 Datasheet
391Kb/8P
N-Channel Power MOSFET
logo
Inchange Semiconductor ...
2N60 ISC-2N60 Datasheet
157Kb/2P
Fast Switching
logo
Chongqing Pingwei Enter...
2N60 CHONGQING-2N60 Datasheet
201Kb/2P
2A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET
logo
DIYI Electronic Technol...
2N60 DYELEC-2N60 Datasheet
1Mb/9P
600V N-Channel Power MOSFET
logo
Zibo Seno Electronic En...
2N60 ZSELEC-2N60 Datasheet
450Kb/6P
N-CHANNEL MOSFET
logo
Inchange Semiconductor ...
2N60 ISC-2N60 Datasheet
316Kb/2P
isc N-Channel MOSFET Transistor
logo
SUNMATE electronic Co.,...
2N60 SUNMATE-2N60 Datasheet
2Mb/8P
N-CHANNEL POWER MOSFET
logo
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...
2N60 ARTSCHIP-2N60 Datasheet
389Kb/7P
N-CHANNEL MOSFET
logo
VBsemi Electronics Co.,...
2N60 VBSEMI-2N60 Datasheet
1Mb/9P
Power MOSFET
logo
Jiangsu High diode Semi...
2N60 HDSEMI-2N60 Datasheet
2Mb/3P
TO-251 Plastic-Encapsulate MOSFET
logo
Guangdong Kexin Industr...
2N60 KEXIN-2N60 Datasheet
60Kb/2P
N-Channel MOSFET
logo
Jiangsu Donghai Semicon...
2N60 WXDH-2N60 Datasheet
1Mb/13P
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
2N60 WXDH-2N60 Datasheet
1Mb/13P
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
2N60 WXDH-2N60 Datasheet
1Mb/13P
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
2N60 WXDH-2N60 Datasheet
1Mb/13P
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
2N60 WXDH-2N60 Datasheet
1Mb/13P
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

12 3 4 5 6 7 8 9 10 .....


12 3 4 5 .....



Krótki opis 2N60


2N60 to N-kanał MOSFET, który jest zoptymalizowany pod kątem zastosowań mocy wysokiego napięcia, oferując takie funkcje, jak szybkie przełączanie, niski ładunek bramki i niski opór w stanie. Został również zaprojektowany, aby wytrzymać surowe warunki lawinowe. Funkcje te sprawiają, że powszechnie stosowany jest w zasilaczy, sterowanie silnikiem PWM, konwerterie DC na DC i obwodzie mostowe.

Oto podsumowanie cech XX wieku:

Drenaż napięcia źródłowego (V_DSS): Może tolerować do 600 V, czyli maksymalne napięcie między odpływem a źródłem, gdy MOSFET jest wyłączony.

Brama do napięcia źródłowego (V_GSS): Obsługuje bramę do napięcia źródłowego ± 30 V.

Prąd spustowy (I_D): 2N60 może utrzymać prąd drenażowy 2A, co wskazuje na maksymalny prąd, który może przepływać przez zacisk spustowy w sposób ciągły.

Rozpraszanie mocy (P_D): Ma ocenę rozpraszania mocy 23 W, dyktując, ile mocy może obsłużyć przed przekroczeniem maksymalnej temperatury połączenia.

Temperatura połączenia (T_J): Temperatura złącza roboczego może osiągnąć do 150 ° C.

Temperatura przechowywania (T_STG): Komponent można przechowywać w temperaturach od -55 do +150 ° C.

W przypadku konkretnych implementacji urządzenie oferuje niską oporność 3,8Ω przy V_GS 10 V. Niska brama (typowa przy 9,0NC) i niska pojemność transferu odwrotnego (CRSS = typowa 5,0 pf) ułatwiają szybkie przełączanie i poprawę wydajności. Te specyfikacje są ukierunkowane na zapewnienie, że MOSFET może zapewnić wymaganą wydajność zadań związanych z zarządzaniem energią o wydajności i niezawodności.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com