2N7002T Arkusz danych, PDF - Datasheet Search Engine

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

Skrót	2N7002T(65) wyniki wyszukiwania.
Dokładny, Podobny	2N7002T(26) 2N7002T.(1) 2N7002TB(1) 2N7002TE(1) 2N7002TQ(1)
Rozpoczynający się	2N7002T(25) 2N7002T-(9) 2N7002TG(3) 2N7002TL(2) 2N7002TP(1) 2N7002TQ(6)
Kończący się	*M2N7002T(1)
Zawierający	2N7002T(3)

Producent

2N7002T Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "2N7002T" - wyników : 61 ( 1/4 Page)

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Diodes Incorporated	2N7002T	85Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 2 - 2
Diodes Incorporated	2N7002T	447Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 8 - 2
ON Semiconductor	2N7002T	417Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor January 2015 Rev. 1.1
Diodes Incorporated	2N7002T	89Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 11 - 2 March 2009
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002T	156Kb/2P	Plastic-Encapsulated Transistors
Fairchild Semiconductor	2N7002T	333Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	121Kb/3P	Small Signal MOSFET
Weitron Technology	2N7002T	292Kb/4P	N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002T	148Kb/3P	300 mAmps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	337Kb/3P	N-Channel Enhancement MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002T	145Kb/4P	N-Channel Plastic-Encapsulate Transistor
Unisonic Technologies	2N7002T	162Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
WILLAS ELECTRONIC CORP	2N7002T	359Kb/2P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
Nanjing International G...	2N7002T	2Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
VBsemi Electronics Co.,...	2N7002T	1,003Kb/8P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Tiger Electronic Co.,Lt...	2N7002T	1Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
SEC Electronics Inc.	2N7002T	191Kb/3P	N-Channel Plastic- Encapsulate MOSFETS
Jiangsu High diode Semi...	2N7002T	3Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encaps u late MOSFET
Jiangsu Changjiang Elec...	2N7002T	2Mb/5P	MOSFET (N-Channel)
Shanghai Leiditech Elec...	2N7002T	1Mb/3P	Voltage controlled small signal switch

12 3 4

12 3 4

Krótki opis 2N7002T

2N7002T jest małym sygnałem N-kanałowym MOSFET (tranzystor pola-tlenku-tlenku-tlenku-semiconductor). MOSFET są szeroko stosowane w obwodach elektronicznych ze względu na ich zdolność do kontrolowania i wzmacniania sygnałów elektronicznych. 2N7002T jest przeznaczony do zastosowań o niskiej mocy i jest powszechnie używany do celów przełączania i amplifikacji.

Oto kilka kluczowych specyfikacji MOSFET 2N7002T:

Typ tranzystora: N-kanałowy MOSFET
Maksymalne napięcie źródła drenażu (VDS): 60 V
Maksymalne napięcie bramki (VGS): ± 20 V
Maksymalny ciągły prąd drenażowy (ID): 115mA
Maksymalne rozpraszanie mocy (PD): 360 MW
Napięcie progowe (VTH): Zazwyczaj około 1,5 V
On-oporność (RDS (ON)): Zazwyczaj około 5Ω przy VGS = 4,5 V

MOSFET 2N7002T jest powszechnie stosowany do zastosowań przełączających niskie napięcie. Oferuje niskie napięcie progowe, co oznacza, że można go łatwo kontrolować za pomocą sygnałów niskiego napięcia. Odporność jest stosunkowo niska, co umożliwia wydajne operacje przełączania.

Odpowiednik dla 2N7002T

2N7002T jest specyficznym rodzajem MOSFET w kanale N (tranzystor pola-semiconductor-tlenku-tlenku) powszechnie stosowany do aplikacji przełączania o niskiej mocy. Chociaż dokładny wymiana na ten sam numer części może nie być łatwo dostępny, istnieją alternatywne opcje, które można wziąć pod uwagę. Oto kilka potencjalnych zamienników dla MOSFET 2N7002T:

IRF5305: IRF5305 to MOSFET w kanale N o maksymalnym prądu spustowym 31A i maksymalnym napięciu źródła odpływu 55 V. Ma podobne cechy elektryczne do 2N7002T i może być używany jako wymiana w wielu zastosowaniach o niskiej mocy.

BS170: BS170 to kolejny MOSFET w kanale N o maksymalnym prądu odpływowym 0,5A i maksymalnym napięciu źródła odpływu 60 V. Jest powszechnie stosowany w obwodach przełączania o niskiej mocy i może być używany jako wymiana 2N7002T w niektórych aplikacjach.

BSS138: BSS138 jest MOSFET w kanale N o maksymalnym prądu odpływowym 0,17a i maksymalnym napięciu źródła odpływu 50 V. Jest często stosowany w aplikacjach przełączania o niskiej mocy i można go uznać za zamiennik 2N7002T w odpowiednich obwodach.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com