2N7002W Arkusz danych, PDF - Datasheet Search Engine

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

Skrót	2N7002W(81) wyniki wyszukiwania.
Dokładny, Podobny	S2N7002W(2) 2N7002W(28)
Rozpoczynający się	2N7002W(23) 2N7002W-(8) 2N7002WA(3) 2N7002WG(3) 2N7002WL(3) 2N7002WT(6)
Kończący się	2N7002W(4) E2N7002W(1) *M2N7002W(1)
Zawierający	2N7002W(11) 2N7002WT(4) 2N7002W_(1)

Producent

2N7002W Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "2N7002W" - wyników : 66 ( 1/4 Page)

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Diodes Incorporated	2N7002W	68Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 4P-1
ON Semiconductor	2N7002W	71Kb/5P	Small Signal MOSFET April, 2015 ??Rev. 6
Diodes Incorporated	2N7002W	81Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 9 - 2
Diodes Incorporated	2N7002W	127Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 14 - 2
ON Semiconductor	2N7002W	107Kb/5P	Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N?묬hannel, SC??0 April, 2007 ??Rev. 2
Fairchild Semiconductor	2N7002W	266Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002W	332Kb/3P	Small Signal MOSFET
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002W	112Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Micro Commercial Compon...	2N7002W	94Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Pan Jit International I...	2N7002W	161Kb/5P	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002W	158Kb/3P	300m Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002W	187Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Unisonic Technologies	2N7002W	158Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002W	216Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
TECH PUBLIC Electronics...	2N7002W	1Mb/5P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Formosa MS	2N7002W	121Kb/9P	SMD MOSFET
Yangzhou yangjie electr...	2N7002W	624Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Micro Commercial Compon...	2N7002W	196Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Weitron Technology	2N7002W	104Kb/4P	N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor	2N7002W	297Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

12 3 4

12 3 4

Krótki opis 2N7002W

2N7002W jest specyficznym modelem MOSFET N-Kanałowego (tranzystor pola-tlenku-tlenku-tlenku-semiconductor). MOSFET są szeroko stosowane w obwodach elektronicznych ze względu na ich zdolność do kontrolowania i wzmacniania sygnałów elektronicznych. 2N7002W jest przeznaczony do zastosowań o niskiej mocy i jest powszechnie używany do celów przełączania i amplifikacji.

Oto kilka kluczowych specyfikacji MOSFET 2N7002W:

Typ tranzystora: N-kanałowy MOSFET
Maksymalne napięcie źródła drenażu (VDS): 60 V
Maksymalne napięcie bramki (VGS): ± 20 V
Maksymalny ciągły prąd drenażowy (ID): 115mA
Maksymalne rozpraszanie mocy (PD): 360 MW
Napięcie progowe (VTH): Zazwyczaj około 1,5 V
On-oporność (RDS (ON)): Zazwyczaj około 5Ω przy VGS = 4,5 V

MOSFET 2N7002W jest powszechnie stosowany do zastosowań przełączających niskie napięcie. Oferuje niskie napięcie progowe, co oznacza, że można go łatwo kontrolować za pomocą sygnałów niskiego napięcia. Odporność jest stosunkowo niska, co umożliwia wydajne operacje przełączania.

„W” w nazwie modelu zazwyczaj wskazuje, że MOSFET jest przeznaczony do technologii montażowej powierzchni (SMT) i jest dostępny w małym pakiecie zarysie (SOT-323 lub podobny).

Odpowiednik dla 2N7002W

2N7002W jest specyficznym rodzajem MOSFET w kanale N (tranzystor pola-semiconductor-tlenku-tlenku) powszechnie stosowany w aplikacjach przełączania o niskiej mocy. Chociaż dokładny wymiana na ten sam numer części może nie być łatwo dostępny, istnieją alternatywne opcje, które można wziąć pod uwagę. Oto kilka potencjalnych zamienników dla MOSFET 2N7002W:

BS170: BS170 jest MOSFET w kanale N o maksymalnym prądzie odpływowym 500 mA i maksymalnym napięciu źródła odpływu 60 V. Ma podobne charakterystyki elektryczne do 2N7002W i może być używany jako wymiana w wielu aplikacjach przełączania o niskiej mocy.

BSS138: BSS138 to kolejny MOSFET N-Kannel z maksymalnym prądem odpływowym 200 mA i maksymalnym napięciem źródła odpływu 50 V. Jest powszechnie stosowany w zastosowaniach o niskiej mocy i może być uważany za zamiennik 2N7002W w niektórych obwodach.

IRF5305: IRF5305 jest MOSFET mocy o maksymalnym prądu odpływowym 31a i maksymalnym napięciu źródłowego wynoszącego 55 V. Chociaż ma wyższe możliwości obsługi prądu i wyższą ocenę napięcia, nadal może być używany jako wymiana 2N7002 W w zależności od określonych wymagań obwodu.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com