Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Skrót   2SA812(72) wyniki wyszukiwania.
Dokładny,
Podobny
 2SA812(24) 2SA812A(1) 2SA812K(1) 2SA812Q(1) 2SA812R(1) 2SA812S(1)
Rozpoczynający
się
 2SA812*(26) 2SA812-*(19) 2SA812K*(1) 2SA812X*(1)
Kończący się   No Data
Zawierający  *2SA812L*(1) *2SA812Q*(5) *2SA812R*(5) *2SA812S*(5)
Producent


2SA812 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "2SA812" - wyników : 56 ( 1/3 Page)
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
NEC
2SA812 NEC-2SA812 Datasheet
241Kb/4P
AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
logo
Renesas Technology Corp
2SA812 RENESAS-2SA812 Datasheet
333Kb/6P
SILICON TRANSISTOR
1984
logo
TRANSYS Electronics Lim...
2SA812 TEL-2SA812 Datasheet
69Kb/1P
Plastic-Encapsulated Transistors
logo
Goodwork Semiconductor ...
2SA812 GWSEMI-2SA812 Datasheet
526Kb/3P
Plastic-Encap sulate Transistors
logo
Nanjing International G...
2SA812 DGNJDZ-2SA812 Datasheet
1Mb/4P
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
logo
Dc Components
2SA812 DCCOM-2SA812 Datasheet
228Kb/1P
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
logo
Weitron Technology
2SA812 WEITRON-2SA812 Datasheet
211Kb/3P
PNP General Purpose Transistors
logo
Rectron Semiconductor
2SA812 RECTRON-2SA812 Datasheet
294Kb/2P
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)
logo
Jinan Jing Heng Electro...
2SA812 JINGHENG-2SA812 Datasheet
1Mb/5P
PNP Plastic-Encapsulate Transistors
logo
Guilin Strong Micro-Ele...
2SA812 GSME-2SA812 Datasheet
221Kb/2P
PNP General Purpose Transistor
logo
GUANGDONG HOTTECH INDUS...
2SA812 HOTTECH-2SA812 Datasheet
306Kb/2P
Plastic-Encapsulate Transistors
logo
Galaxy Semi-Conductor H...
2SA812 BILIN-2SA812 Datasheet
219Kb/4P
Silicon Epitaxial Planar Transistor
logo
Foshan Blue Rocket Elec...
2SA812 FOSHAN-2SA812 Datasheet
626Kb/6P
Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package
logo
Jiangsu Changjiang Elec...
2SA812 JIANGSU-2SA812 Datasheet
844Kb/4P
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
logo
Galaxy Semi-Conductor H...
2SA812 BILIN-2SA812 Datasheet
175Kb/4P
Silicon Epitaxial Planar Transistor
Rev.A
logo
SHENZHEN SLS TECHNOLOGY...
2SA812 SHENZHENSLS-2SA812 Datasheet
723Kb/2P
Plastic-Encapsulate Transistors
logo
Shenzhen Luguang Electr...
2SA812 LUGUANG-2SA812 Datasheet
1Mb/2P
Silicon Epitaxial Planar Transistor
logo
DONGGUAN YOU FENG WEI E...
2SA812 YFWDIODE-2SA812 Datasheet
443Kb/3P
PNP Silicon Epitaxial Transistor
logo
SHIKUES Electronics
2SA812 SKTECHNOLGY-2SA812 Datasheet
2Mb/4P
Silicon Epitaxial Planar Transistor
logo
SHENZHEN YONGERJIA INDU...
2SA812 WINNERJOIN-2SA812 Datasheet
136Kb/1P
TRANSISTOR (PNP)

12 3


12 3



Krótki opis 2SA812


2SA812 jest specyficznym modelem tranzystora PNP. Tranzystory to urządzenia półprzewodnikowe używane do wzmocnienia i przełączania sygnałów elektronicznych. Tranzystor 2SA812 jest przeznaczony do zastosowań ogólnego przeznaczenia.

Oto kilka kluczowych specyfikacji tranzystora PNP 2SA812:

Typ tranzystora: PNP
Maksymalne napięcie bazy kolektora (VCBO): -35v
Maksymalne napięcie kolekcjonera -emitera (VCEO): -35v
Maksymalne napięcie bazowe emitera (VEBO): -5v
Maksymalny prąd kolekcjonerski (IC): -50MA
DC Bieżący wzmocnienie (HFE): zazwyczaj od 60 do 400
Rozpraszanie mocy (PD): 150 MW

Tranzystor 2SA812 jest powszechnie stosowany w zastosowaniach o niskiej mocy, w których występują umiarkowane wymagania dotyczące napięcia i prądu. Może być stosowany w różnych obwodach, takich jak wzmacniacze małe sygnały, wzmacniacze audio i inne zastosowania ogólnego zastosowania.

Odpowiednik dla 2SA812


2SA812 jest specyficznym rodzajem bipolarnego tranzystora połączenia PNP (BJT) powszechnie stosowanego w aplikacjach przełączania audio i niskopasmowej. Chociaż dokładny wymiana na ten sam numer części może nie być łatwo dostępny, istnieją alternatywne opcje, które można wziąć pod uwagę. Oto kilka potencjalnych wymiany tranzystora 2SA812:

BC557: BC557 jest tranzystorem PNP z maksymalnym prądem kolektora 100 mA i maksymalnym napięciem kolektora-emitera 45 V. Ma podobne cechy elektryczne do 2SA812 i może być stosowany jako wymiana w wielu zastosowaniach o niskiej mocy.

2N3906: 2N3906 jest kolejnym tranzystorem PNP z maksymalnym prądem kolektora 200 mA i maksymalnym napięciem kolekcjonera-emitera 40 V. Jest powszechnie stosowany w obwodach amplifikacji i przełączania dźwięku i można go uznać za wymianę 2SA812 w niektórych aplikacjach.

MPSA92: MPSA92 jest tranzystorem PNP o wysokim napięciu z maksymalnym prądem kolektora 500 mA i maksymalnym napięciem kolekcjonera-emitera 300 V. Chociaż ma wyższe oceny prądu i napięcia w porównaniu z 2SA812, nadal można go używać jako wymiana w zależności od określonych wymagań obwodu.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com