Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Skrót   50N06(611) wyniki wyszukiwania.
Dokładny,
Podobny
 E50N06(7) 50N06(16) P50N06(2) B50N06(6) D50N06(6) F50N06(6) I50N06(6) 150N06(1) 050N06(1) 50N06B(2) 50N06F(1) 50N06H(1)
Rozpoczynający
się
 50N06*(40) 50N06-*(4) 50N06F*(1) 50N06G*(11) 50N06L*(20)
Kończący się  *50N06(165) *P50N06(44) *150N06(5) *B50N06(12) *I50N06(5) *F50N06(7) *G50N06(4) *S50N06(5) *W50N06(4) *050N06(6) *D50N06(11) *U50N06(9) *T50N06(3) *250N06(1) *M50N06(6) *R50N06(4) *X50N06(1) *A50N06(1) *E50N06(1) *K50N06(1)
Zawierający  *50N06*(387) *50N06C*(1) *50N06L*(1) *50N06P*(1) *50N06Z*(1)
Producent


50N06 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "50N06" - wyników : 59 ( 1/3 Page)
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Unisonic Technologies
50N06 UTC-50N06 Datasheet
145Kb/8P
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
50N06 UTC-50N06 Datasheet
330Kb/8P
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
50N06 UTC-50N06 Datasheet
345Kb/8P
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
logo
Nell Semiconductor Co.,...
50N06 NELLSEMI-50N06 Datasheet
445Kb/9P
N-Channel Power MOSFET
logo
Inchange Semiconductor ...
50N06 ISC-50N06 Datasheet
65Kb/2P
Fast Switching Speed
logo
Chongqing Pingwei Enter...
50N06 CHONGQING-50N06 Datasheet
194Kb/2P
50A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET
logo
KIA Semiconductor Techn...
50N06 KIA-50N06 Datasheet
338Kb/6P
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL MOSFET
logo
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...
50N06 EVVOSEMI-50N06 Datasheet
1Mb/6P
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Rev:2023A2
logo
VBsemi Electronics Co.,...
50N06 VBSEMI-50N06 Datasheet
1Mb/7P
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
logo
Jiangsu Donghai Semicon...
50N06 WXDH-50N06 Datasheet
808Kb/10P
50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
50N06 WXDH-50N06 Datasheet
812Kb/10P
50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
50N06 WXDH-50N06 Datasheet
807Kb/10P
50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
50N06 WXDH-50N06 Datasheet
808Kb/10P
50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
50N06 WXDH-50N06 Datasheet
807Kb/10P
50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
logo
Guangdong Youtai Semico...
50N06 UMW-50N06 Datasheet
1Mb/6P
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
logo
Jiangsu Donghai Semicon...
50N06 WXDH-50N06 Datasheet
808Kb/10P
50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
logo
Unisonic Technologies
50N06-F UTC-50N06-F Datasheet
325Kb/8P
N-CHANNEL POWER MOSFET
50N06-Q UTC-50N06-Q Datasheet
215Kb/6P
50A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
50N06-TA3-T UTC-50N06-TA3-T Datasheet
145Kb/8P
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
50N06-TF3-T UTC-50N06-TF3-T Datasheet
145Kb/8P
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

12 3


12 3



Krótki opis 50N06


50N06 to tranzystor MOSFET mocy z kanałem N, przeznaczony do zastosowań przełączających o wysokim natężeniu prądu i niskim napięciu w elektronice mocy. Produkowany przez różne firmy półprzewodnikowe, w tym STMicroelectronics, ON Semiconductor i Fairchild, 50N06 jest szeroko stosowany w przetwornicach DC-DC, sterownikach silników, zasilaczach i elektronice samochodowej, dzięki swojej solidnej wydajności, niskiej rezystancji w stanie przewodzenia i możliwości przesyłu dużych prądów.

50N06 charakteryzuje się napięciem dren-źródło (VDS) wynoszącym 60 V i może przenosić ciągły prąd drenu do 50 A (przy odpowiednim radiatorze), co czyni go odpowiednim do zastosowań o dużej mocy. Charakteryzuje się bardzo niską rezystancją w stanie przewodzenia (RDS(on)), zazwyczaj w zakresie 0,022 oma lub niższym, co minimalizuje straty przewodzenia i poprawia efektywność energetyczną w obwodach przełączających. Dodatkowo, tranzystor MOSFET charakteryzuje się niskim ładunkiem bramki, co umożliwia szybkie przełączanie i wydajną pracę w obwodach o wysokiej częstotliwości.

Umieszczony w obudowie TO-220, tranzystor 50N06 oferuje doskonałe parametry termiczne i jest łatwy w montażu na radiatorach, co zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Jest często stosowany w obwodach, w których wymagane jest przełączanie niskiego napięcia i wysokiego prądu, takich jak samochodowe systemy zasilania, zasilacze o wysokiej sprawności i falowniki.

Ogólnie rzecz biorąc, 50N06 to wszechstronny i wydajny tranzystor MOSFET z kanałem N, który stanowi wydajne i ekonomiczne rozwiązanie do zastosowań przełączających o średniej i dużej mocy, co czyni go popularnym wyborem zarówno w projektach przemysłowych, jak i elektroniki użytkowej.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com