Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Skrót   IRF1407(18) wyniki wyszukiwania.
Dokładny,
Podobny
 IRF1407(3) IIRF1407(1) IRF1407L(2) IRF1407S(2)
Rozpoczynający
się
 IRF1407*(14) IRF1407L*(2) IRF1407P*(3) IRF1407S*(5)
Kończący się   No Data
Zawierający   No Data
Producent


IRF1407 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "IRF1407" - wyników : 17 ( 1/1 Page)
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
International Rectifier
IRF1407 IRF-IRF1407 Datasheet
127Kb/9P
Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A??
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF1407 ISC-IRF1407 Datasheet
338Kb/2P
N-Channel MOSFET Transistor
logo
International Rectifier
IRF1407 IRF-IRF1407 Datasheet
271Kb/9P
Advanced Process Technology
IRF1407L IRF-IRF1407L Datasheet
159Kb/11P
Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078?? Id = 100A??
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF1407L ISC-IRF1407L Datasheet
331Kb/2P
isc N-Channel MOSFET Transistor
logo
Infineon Technologies A...
IRF1407LPbF INFINEON-IRF1407LPbF Datasheet
578Kb/12P
HEXFET짰 Power MOSFET
2016-5-26
logo
International Rectifier
IRF1407LPBF IRF-IRF1407LPBF Datasheet
258Kb/12P
HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A )
IRF1407PBF IRF-IRF1407PBF Datasheet
167Kb/10P
HEXFET짰 Power MOSFET
IRF1407PBF IRF-IRF1407PBF Datasheet
271Kb/9P
Advanced Process Technology
IRF1407PBF IRF-IRF1407PBF_15 Datasheet
271Kb/9P
Advanced Process Technology
IRF1407S IRF-IRF1407S Datasheet
159Kb/11P
Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078?? Id = 100A??
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF1407S ISC-IRF1407S Datasheet
189Kb/2P
Isc N-Channel MOSFET Transistor
logo
Infineon Technologies A...
IRF1407SPBF INFINEON-IRF1407SPBF Datasheet
578Kb/12P
HEXFET짰 Power MOSFET
2016-5-26
logo
International Rectifier
IRF1407SPBF IRF-IRF1407SPBF Datasheet
258Kb/12P
HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A )
IRF1407SPBF IRF-IRF1407SPBF Datasheet
259Kb/12P
Advanced Process Technology
IRF1407SPBF IRF-IRF1407SPBF_15 Datasheet
259Kb/12P
Advanced Process Technology
logo
Infineon Technologies A...
IRF1407STRLPbF INFINEON-IRF1407STRLPbF Datasheet
578Kb/12P
HEXFET짰 Power MOSFET
2016-5-26

1


1



Krótki opis IRF1407


IRF1407 to MOSFET MOSFET (tranzystor pola-tlenku metal-tlenku-semiconductor) zaprojektowany do zastosowań o wysokiej wydajności i wysokiej mocy. Jest produkowany przez różnych producentów półprzewodników, w tym Infineon Technologies, na półprzewodnik i inne. Oto kilka kluczowych funkcji i specyfikacji IRF1407:

Typ MOSFET: IRF1407 to MOSFET w trybie wzmacniającym kanał N. W MOSFET w trybie wzmacniającym urządzenie prowadzi, gdy napięcie jest przyłożone do terminalu bramkowego, w przeciwieństwie do MOSFET w trybie wyczerpania, które postępują domyślnie do momentu zastosowania napięcia do bramy, aby je wyłączyć.

Oceny napięcia i prądu: IRF1407 zazwyczaj działa z oceną napięcia źródłowego (VDS) wynoszącą około 75 woltów oraz oceną ciągłego prądu spustowego (ID) kilku dziesiątek amperów, co czyni go odpowiednim do zastosowań o dużej mocy.

Niska rezystancja: IRF1407 ma niską odporność (RDS (ON), co powoduje zmniejszenie strat przewodzenia, gdy MOSFET jest w pełni włączony. Ta cecha jest niezbędna do wydajnego konwersji i przełączania mocy.

Szybkie przełączanie: z niskim ładunkiem bramki i wewnętrznymi pojemnościami IRF1407 jest zdolne do szybkiego przełączania, dzięki czemu nadaje się do zastosowań wymagających szybkich częstotliwości przełączania, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Pakiet TO-220: IRF1407 jest powszechnie dostępny w pakiecie TO-220, który zapewnia dobrą wydajność termiczną i łatwość montażu na radiowcu do rozpraszania ciepła w zastosowaniach o dużej mocy.

Zastosowanie: IRF1407 jest powszechnie stosowany w różnych obwodach i zastosowaniach elektronicznych, w tym regulatorach przełączających, przetwornikach DC-DC, obwodach sterowania silnikiem, wzmacniaczach zasilania i przekaźnikach elektronicznych.

Napięcie progowe źródła bramki (VGS (TH)): Napięcie progowe bramki źródła określa minimalne napięcie wymagane między zaciskami bramki a źródłem, aby włączyć MOSFET. Ten parametr różni się w zależności od poszczególnych urządzeń i należy go rozważyć w projektowaniu obwodu.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com