Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Skrót   IRF510(34) wyniki wyszukiwania.
Dokładny,
Podobny
 IRF510(13) IRF510A(1) IRF510N(8) IRF510S(3)
Rozpoczynający
się
 IRF510*(20) IRF510-*(1) IRF510P*(2) IRF510S*(5)
Kończący się   No Data
Zawierający   No Data
Producent


IRF510 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "IRF510" - wyników : 34 ( 1/2 Page)
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
Vishay Siliconix
IRF510 VISHAY-IRF510 Datasheet
1Mb/8P
Power MOSFET
30-Jun-08
IRF510 VISHAY-IRF510 Datasheet
158Kb/8P
Power MOSFET
02-Aug-2021
logo
Analog Devices
IRF510 AD-IRF510 Datasheet
2Mb/13P
Analog Devices Wiki
7/12/22
logo
Supertex, Inc
IRF510 SUTEX-IRF510 Datasheet
70Kb/2P
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
logo
Fairchild Semiconductor
IRF510 FAIRCHILD-IRF510 Datasheet
151Kb/5P
N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
logo
Intersil Corporation
IRF510 INTERSIL-IRF510 Datasheet
70Kb/7P
5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
November 1999
logo
International Rectifier
IRF510 IRF-IRF510 Datasheet
175Kb/6P
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
logo
Harris Corporation
IRF510 HARRIS-IRF510 Datasheet
71Kb/7P
4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF510 NJSEMI-IRF510 Datasheet
111Kb/2P
Repetitive Avalanche Rated
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF510 ISC-IRF510 Datasheet
45Kb/2P
isc N-Channel Mosfet Transistor
logo
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...
IRF510 ARTSCHIP-IRF510 Datasheet
374Kb/5P
N-Channel Power Mosfets
logo
SYC Electronica
IRF510 SYC-IRF510 Datasheet
132Kb/6P
5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
logo
List of Unclassifed Man...
IRF510 ETC2-IRF510 Datasheet
2Mb/31P
SEMICONDUCTORS
logo
Fairchild Semiconductor
IRF510-513 FAIRCHILD-IRF510-513 Datasheet
151Kb/5P
N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
IRF510A FAIRCHILD-IRF510A Datasheet
252Kb/7P
Advanced Power MOSFET
logo
Vishay Siliconix
IRF510N VISHAY-IRF510N Datasheet
1Mb/8P
Power MOSFET
30-Jun-08
IRF510N VISHAY-IRF510N Datasheet
176Kb/9P
Power MOSFET
30-May-11
logo
International Rectifier
IRF510N IRF-IRF510N Datasheet
175Kb/6P
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
logo
Intersil Corporation
IRF510N INTERSIL-IRF510N Datasheet
70Kb/7P
5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
November 1999
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF510N NJSEMI-IRF510N Datasheet
111Kb/2P
Repetitive Avalanche Rated

12


12



Krótki opis IRF510


IRF510 jest szeroko stosowanym tranzystorem MOSFET N-kanałowym. MOSFET (Tranzystory efektu półprzewodnikowego tlenku tlenku) są rodzajem tranzystora, który jest używany do amplifikacji lub przełączania sygnałów elektronicznych w różnych urządzeniach, od małej elektroniki po duże układy elektryczne.

W szczególności IRF510 jest znany z łatwości napędu, stosunkowo wysokiej zdolności obsługi prądu i wydajności. Jest często używany w aplikacjach takich jak zasilacze przełączające, sterowanie silnikami, falowniki, śmigłowce, wzmacniacze audio i szybkie sterowniki.

Oto niektóre z kluczowych cech MOSFET IRF510:

VDSS (napięcie rozpadu źródła odpływu): może obsłużyć maksymalne napięcie źródła drenażu, zwykle około 100 V, co oznacza, że ​​można go stosować w obwodach o wymaganiach wysokiego napięcia.

ID (ciągły prąd spustowy): Określa to ilość prądu, który może przepływać ciągle przez odpływ, z IRF510 zwykle ocenianym około 5,6a.

RDS (ON) (Odporność źródła odpływu): Jest to opór między drenażem a źródłem, gdy tranzystor jest włączony. W przypadku IRF510 jest to zwykle dość niskie, co czyni go wydajnym pod względem rozpraszania mocy.

VGS (TH) (napięcie progowe bramki): Jest to napięcie, przy którym MOSFET zaczyna włączać się. W przypadku IRF510 napięcie progowe bramki wynosi zwykle około 2 V do 4 V.

Rozpraszanie mocy: maksymalna moc, którą IRF510 może obsłużyć bez przekraczania maksymalnej temperatury połączenia wynosi zwykle około 43 watów, co jest odpowiednie dla wielu zastosowań.

Konfiguracje: Jest dostępny w pakiecie TO-220, który jest odpowiedni do montażu przez dziurę, co ułatwia używanie w prototypowaniu i produkcji.

Temperatura robocza: Zwykle działa w zakresie temperatur od -55 ° C do +175 ° C, zapewniając dobry zakres dla różnych środowisk.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com