Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Skrót   IRF540(107) wyniki wyszukiwania.
Dokładny,
Podobny
 IRF540(18) IRF540A(3) IRF540D(1) IRF540F(1) IRF540I(1) IRF540N(7) IRF540S(5) IRF540Z(3)
Rozpoczynający
się
 IRF540*(78) IRF540F*(2) IRF540N*(25) IRF540P*(3) IRF540S*(8) IRF540Z*(19)
Kończący się   No Data
Zawierający  *IRF540*(8)
Producent


IRF540 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "IRF540" - wyników : 99 ( 1/5 Page)
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
NXP Semiconductors
IRF540 PHILIPS-IRF540 Datasheet
86Kb/9P
N-channel TrenchMOS transistor
August 1999 Rev 1.100
logo
STMicroelectronics
IRF540 STMICROELECTRONICS-IRF540 Datasheet
53Kb/6P
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
Apr-1998
IRF540 STMICROELECTRONICS-IRF540 Datasheet
311Kb/8P
N-CHANNEL 100V - 0.055Ω - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET
Feb-2003
logo
Vishay Siliconix
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
1Mb/8P
Power MOSFET
16-Jun-08
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
282Kb/9P
Power MOSFET
21-Mar-11
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
156Kb/8P
Power MOSFET
02-Aug-2021
logo
Fairchild Semiconductor
IRF540 FAIRCHILD-IRF540 Datasheet
146Kb/5P
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
logo
International Rectifier
IRF540 IRF-IRF540 Datasheet
177Kb/6P
HEXFET POWER MOSFET
logo
Kersemi Electronic Co.,...
IRF540 KERSEMI-IRF540 Datasheet
6Mb/7P
Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
logo
Nell Semiconductor Co.,...
IRF540 NELLSEMI-IRF540 Datasheet
338Kb/7P
N-Channel Power MOSFET
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF540 NJSEMI-IRF540 Datasheet
984Kb/3P
25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF540 NJSEMI-IRF540 Datasheet
103Kb/3P
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V
logo
First Silicon Co., Ltd
IRF540 FS-IRF540 Datasheet
1Mb/4P
N -Channel Power MOSFET (100V/27A)
logo
SYC Electronica
IRF540 SYC-IRF540 Datasheet
259Kb/7P
N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF540 ISC-IRF540 Datasheet
308Kb/2P
N-Channel Power MOSFET
logo
Nanjing International G...
IRF540 DGNJDZ-IRF540 Datasheet
2Mb/7P
TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
logo
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...
IRF540 DOINGTER-IRF540 Datasheet
1Mb/5P
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
logo
List of Unclassifed Man...
IRF540 ETC2-IRF540 Datasheet
2Mb/31P
SEMICONDUCTORS
logo
Fairchild Semiconductor
IRF540A FAIRCHILD-IRF540A Datasheet
256Kb/7P
Advanced Power MOSFET
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF540A ISC-IRF540A Datasheet
280Kb/2P
isc N-Channel MOSFET Transistor

12 3 4 5


12 3 4 5



Krótki opis IRF540


IRF540 jest popularnym MOSFET Power (tranzystor pola-skutków z tlenku metalu) stosowany w obwodach elektronicznych do zastosowań przełączania i wzmocnienia o dużej mocy. Jest częścią serii MOSFET Power IRF i jest znany ze swojej zdolności do obsługi stosunkowo wysokich prądów i napięć. Oto kilka kluczowych funkcji i specyfikacji MOSFET IRF540:

Polaryzacja: N-kanał.

IRF540 to N-kanał MOSFET, co oznacza, że ​​wykorzystuje przepływ elektronów do przełączania i kontrolowania prądu elektrycznego.
Napięcie źródła odpływu (VDS): zwykle oceniane przy 100 V.

Maksymalne napięcie, które można zastosować między zaciskami drenażu i źródła, gdy MOSFET jest w stanie OFF.
Ciągły prąd spustowy (ID): zwykle oceniany w 33a.

Maksymalny prąd, który MOSFET może obsługiwać w sposób ciągły w stanie ON.
Odporność (RDS (ON): zazwyczaj niski, często w zakresie Milliohm.

Rezystancja między zaciskami drenażu a źródłem, gdy MOSFET jest w pełni włączony.
Napięcie progowe bramki (VGS (TH)): Zazwyczaj około 2 V do 4 V.

Napięcie wymagane do włączenia MOSFET.
Napięcie bramki (VGS): zwykle oceniane do ± 20 V.

Maksymalne napięcie, które można zastosować między zaciskami bramki i źródłowymi.
Pakiet: IRF540 jest zazwyczaj dostępny w pakietach TO-220 lub do 220AB, które zapewniają dobrą wydajność termiczną i łatwość montażu na ciepło do chłodzenia.

Zastosowania: MOSFET IRF540 jest powszechnie stosowany w aplikacjach o dużej mocy, takich jak zasilacze przełączające, obwody sterowania silnikiem, etapy wyjściowe wzmacniacza i inne aplikacje wymagające przełączania o wysokiej prądu.

Rozpraszanie ciepła: IRF540 może generować ciepło podczas pracy, więc do zastosowań o dużej mocy może być konieczne odpowiednie zarządzanie termicznie.

Avalanche Energy Rating: IRF540 ma ocenę energii lawinowej, która określa ilość energii, którą MOSFET może bezpiecznie wchłonąć podczas przejściowych skoków napięcia.

Odpowiednik dla IRF540


IRF540 to N-kanałowy MOSFET powszechnie używany w zastosowaniach przełączania wysokoprądowego, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło wynoszącym 100 V i ciągłym prądem drenu wynoszącym 28 A. Kilka tranzystorów MOSFET oferuje podobne właściwości i może służyć jako zamienniki:

IRF540N:

Ulepszona wersja IRF540, oferująca lepszą wydajność.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100 V.
Ciągły prąd drenażowy: 33A.
Niższy opór włączenia, co skutkuje wyższą wydajnością.
IRFZ44N:

N-kanałowy MOSFET o porównywalnych wartościach napięcia i prądu.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55 V.
Ciągły prąd drenażowy: 49A.
Niższe napięcie znamionowe; zapewnij kompatybilność z Twoją aplikacją.
IRLZ44N:

N-kanałowy MOSFET poziomu logicznego odpowiedni do napędu bramek niskiego napięcia.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55 V.
Ciągły prąd drenu: 47A.
Idealny do współpracy z mikrokontrolerami.
STP55NF06:

N-kanałowy MOSFET o podobnych specyfikacjach.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60 V.
Ciągły prąd drenażowy: 50A.
Nadaje się do różnych zastosowań przełączających.
BUZ11:

N-kanałowy MOSFET o porównywalnych parametrach.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50 V.
Ciągły prąd drenażowy: 30A.
Powszechnie stosowane w zastosowaniach motoryzacyjnych.
Wybierając zamiennik, należy wziąć pod uwagę następujące czynniki:

Wartości znamionowe napięcia i prądu: Upewnij się, że zastępczy MOSFET może obsłużyć wymagane poziomy napięcia i prądu w obwodzie.
Rezystancja włączenia (RDS(on)): niższa rezystancja włączenia skutkuje wyższą wydajnością i zmniejszonym wytwarzaniem ciepła.
Napięcie progowe bramki: Sprawdź, czy napięcie sterujące bramką w twoim projekcie jest wystarczające, aby całkowicie włączyć MOSFET.
Typ opakowania i konfiguracja pinów: Upewnij się, że opakowanie fizyczne i układ pinów są zgodne z układem obwodu.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com